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1. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [2233]
2. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [2050]
3. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [1964]
4. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [1948]
5. Electrically pumped Fabry-Perot microlasers from single Ga-doped Z.. [1868]
6. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [1852]
7. MgZnO p-n heterostructure light-emitting devices [1794]
8. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [1707]
9. (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 [1668]
10. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 [1589]
11. Controllable synthesis of silver nanoparticle aggregates for surfa.. [1021]
12. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) [1006]
13. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [918]
14. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [898]
15. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象 [894]
16. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响 [881]
17. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质 [870]
18. 太阳盲MgZnO光电探测器 [868]
19. 退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 [852]
20. Fe掺杂对CdS光学特性的影响 [833]
21. 树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能 [828]
22. 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文.. [804]
23. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [796]
24. Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based heterojunction ligh.. [790]
25. Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism.. [783]
26. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [783]
27. The p-type ZnO film realized by a hydrothermal treatment method [775]
28. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [772]
29. 海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 [767]
30. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响 [766]
31. 制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法 (发明) [765]
32. The surface defect-related electroluminescence from the ZnO microw.. [760]
33. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [758]
34. Enhanced Efficiency of Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Solar… [751]
35. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [732]
36. Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 [731]
37. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [730]
38. 一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法 (发明) [725]
39. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) [721]
40. Annealing effect on smoothness and composition of cubic-phase Mg0... [720]
41. Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性 [718]
42. ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 [707]
43. 银修饰的ZnO纳米线的发光和光响应性质 [702]
44. Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode [702]
45. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) [698]
46. Surface reconstruction of ZnO nanowire arrays via solvent-evaporat.. [695]
47. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [694]
48. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) [694]
49. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 [684]
50. 分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 [682]
51. ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 [682]
52. ZnCdSe量子阱_CdSe量子点耦合结构中的激子复合 [680]
53. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phaseMgZnO/i-M.. [676]
54. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究 [674]
55. 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 [669]
56. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明) [665]
57. Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multipl.. [664]
58. 一种以锂氮双受主共掺方式制备ｐ型氧化锌基薄膜的方法 (发明) [662]
59. The lasing action observed in aligned ZnO nanowires [660]
60. Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质 [658]
61. 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) [653]
62. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 [649]
63. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 [647]
64. Gold nanoparticles modified ZnO nanorods with improved photocataly.. [646]
65. 热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响 [640]
66. DNA-based fabrication of density-controlled vertically aligned ZnO.. [640]
67. 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 (发明) [633]
68. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 [633]
69. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) [632]
70. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 [627]
71. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 [622]
72. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) [614]
73. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) [603]
74. The growth and the ultraviolet photoresponse properties… [598]
75. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 [595]
76. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文) [595]
77. 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 [589]
78. ZnCdSe量子点的激子行为研究 [588]
79. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明.. [573]
80. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 [571]
81. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) [570]
82. The substrate effect on the optical band gap of the Mg0.53Zn0.47O .. [564]
83. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light.. [560]
84. Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-d.. [555]
85. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 [548]
86. Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 [545]
87. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [544]
88. Enhancement of a Cu2O/ZnO photodetector via surface plasmon resona.. [526]
89. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [520]
90. 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 [518]
91. ZnO-based matierial, heterojunction and photoelctronic device [515]
92. Effect of electrode spacing on the properties of ZnO based MSM ult.. [372]
93. Epitaxial (110)-oriented cubic MgZnO films on m-plane sapphire for.. [371]
94. p-type doping of ZnO:N thin fims by alternating the growth atmosph.. [341]
95. Smooth surface morphology of ZnO thin films on sapphire at low tem.. [327]
96. Study of Ga-doping effect on the structure of cubic MgZnO [287]
97. 衬底温度对Cd_xZn_(1-x)Te外延层中Cd组分含量的影响 [189]
98. V-W模式ZnSeS量子点的生长 [186]
99. 等离子体协助的ZnS:Mn外延层生长及其电致发光 [151]
100. ZnO覆盖的Si衬底上ZnCdTe-ZnTe量子阱的生长 [144]

下载量

1. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [1348]
2. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [1255]
3. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [1229]
4. MgZnO p-n heterostructure light-emitting devices [1176]
5. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [1139]
6. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 [1122]
7. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [1116]
8. (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 [1115]
9. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [989]
10. Electrically pumped Fabry-Perot microlasers from single Ga-doped Z.. [984]
11. 退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 [261]
12. Fe掺杂对CdS光学特性的影响 [260]
13. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [253]
14. Enhanced Efficiency of Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Solar… [221]
15. 树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能 [221]
16. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响 [219]
17. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [214]
18. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [213]
19. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质 [211]
20. ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 [209]
21. Controllable synthesis of silver nanoparticle aggregates for surfa.. [208]
22. 太阳盲MgZnO光电探测器 [206]
23. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 [201]
24. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [199]
25. 分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 [197]
26. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [197]
27. Gold nanoparticles modified ZnO nanorods with improved photocataly.. [194]
28. Annealing effect on smoothness and composition of cubic-phase Mg0... [194]
29. 银修饰的ZnO纳米线的发光和光响应性质 [190]
30. 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文.. [190]
31. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phaseMgZnO/i-M.. [190]
32. DNA-based fabrication of density-controlled vertically aligned ZnO.. [187]
33. Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism.. [187]
34. Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode [184]
35. ZnCdSe量子阱_CdSe量子点耦合结构中的激子复合 [177]
36. 海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 [176]
37. Surface reconstruction of ZnO nanowire arrays via solvent-evaporat.. [173]
38. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 [171]
39. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 [171]
40. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [169]
41. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 [165]
42. The substrate effect on the optical band gap of the Mg0.53Zn0.47O .. [160]
43. The surface defect-related electroluminescence from the ZnO microw.. [159]
44. The growth and the ultraviolet photoresponse properties… [158]
45. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [158]
46. Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multipl.. [157]
47. The p-type ZnO film realized by a hydrothermal treatment method [154]
48. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [150]
49. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 [150]
50. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 [149]
51. Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质 [144]
52. ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 [143]
53. Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 [143]
54. 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 [142]
55. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响 [139]
56. Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based heterojunction ligh.. [136]
57. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 [135]
58. The lasing action observed in aligned ZnO nanowires [135]
59. 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 [131]
60. Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性 [128]
61. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 [127]
62. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [123]
63. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) [123]
64. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文) [123]
65. ZnCdSe量子点的激子行为研究 [123]
66. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究 [122]
67. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象 [117]
68. 热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响 [113]
69. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) [113]
70. Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 [112]
71. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light.. [110]
72. 制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法 (发明) [108]
73. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) [107]
74. 一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法 (发明) [106]
75. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [106]
76. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 [105]
77. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [96]
78. 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 [96]
79. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明) [95]
80. 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 (发明) [94]
81. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) [94]
82. 一种以锂氮双受主共掺方式制备ｐ型氧化锌基薄膜的方法 (发明) [94]
83. 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) [90]
84. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) [87]
85. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) [86]
86. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) [85]
87. Effect of electrode spacing on the properties of ZnO based MSM ult.. [79]
88. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) [78]
89. ZnO-based matierial, heterojunction and photoelctronic device [66]
90. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明.. [64]
91. Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-d.. [52]