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1. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [1123]
2. Electrically pumped Fabry-Perot microlasers from single Ga-doped Z.. [1018]
3. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [959]
4. Controllable synthesis of silver nanoparticle aggregates for surfa.. [881]
5. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [878]
6. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [863]
7. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) [861]
8. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响 [838]
9. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [822]
10. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [813]
11. 太阳盲MgZnO光电探测器 [779]
12. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [777]
13. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质 [764]
14. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象 [759]
15. Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based heterojunction ligh.. [748]
16. 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文.. [742]
17. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [734]
18. Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism.. [727]
19. 树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能 [727]
20. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [719]
21. 制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法 (发明) [711]
22. The p-type ZnO film realized by a hydrothermal treatment method [702]
23. Fe掺杂对CdS光学特性的影响 [693]
24. 海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 [683]
25. Enhanced Efficiency of Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Solar… [679]
26. The surface defect-related electroluminescence from the ZnO microw.. [678]
27. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) [675]
28. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [674]
29. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [667]
30. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响 [663]
31. Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 [655]
32. MgZnO p-n heterostructure light-emitting devices [646]
33. 退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 [645]
34. Annealing effect on smoothness and composition of cubic-phase Mg0... [645]
35. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [644]
36. ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 [642]
37. Surface reconstruction of ZnO nanowire arrays via solvent-evaporat.. [638]
38. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) [638]
39. Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性 [637]
40. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [635]
41. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) [631]
42. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [630]
43. ZnCdSe量子阱_CdSe量子点耦合结构中的激子复合 [628]
44. 一种以锂氮双受主共掺方式制备ｐ型氧化锌基薄膜的方法 (发明) [627]
45. 银修饰的ZnO纳米线的发光和光响应性质 [623]
46. ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 [620]
47. Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode [615]
48. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phaseMgZnO/i-M.. [603]
49. The lasing action observed in aligned ZnO nanowires [601]
50. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明) [599]
51. (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 [596]
52. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [593]
53. 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) [592]
54. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究 [589]
55. 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 [584]
56. Gold nanoparticles modified ZnO nanorods with improved photocataly.. [583]
57. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) [583]
58. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 [580]
59. 一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法 (发明) [579]
60. Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multipl.. [569]
61. 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 (发明) [564]
62. 分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 [563]
63. DNA-based fabrication of density-controlled vertically aligned ZnO.. [558]
64. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 [558]
65. Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质 [557]
66. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 [554]
67. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文) [552]
68. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) [550]
69. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) [544]
70. 热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响 [542]
71. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 [540]
72. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 [536]
73. The growth and the ultraviolet photoresponse properties… [534]
74. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明.. [533]
75. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 [531]
76. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 [530]
77. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) [527]
78. Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-d.. [509]
79. 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 [504]
80. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 [502]
81. Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 [500]
82. ZnCdSe量子点的激子行为研究 [498]
83. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light.. [497]
84. The substrate effect on the optical band gap of the Mg0.53Zn0.47O .. [490]
85. ZnO-based matierial, heterojunction and photoelctronic device [478]
86. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [477]
87. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 [475]
88. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 [466]
89. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [462]
90. Enhancement of a Cu2O/ZnO photodetector via surface plasmon resona.. [453]
91. 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 [384]
92. Epitaxial (110)-oriented cubic MgZnO films on m-plane sapphire for.. [342]
93. Effect of electrode spacing on the properties of ZnO based MSM ult.. [322]
94. p-type doping of ZnO:N thin fims by alternating the growth atmosph.. [321]
95. Smooth surface morphology of ZnO thin films on sapphire at low tem.. [302]
96. Study of Ga-doping effect on the structure of cubic MgZnO [274]
97. 衬底温度对Cd_xZn_(1-x)Te外延层中Cd组分含量的影响 [189]
98. V-W模式ZnSeS量子点的生长 [186]
99. 等离子体协助的ZnS:Mn外延层生长及其电致发光 [151]
100. ZnO覆盖的Si衬底上ZnCdTe-ZnTe量子阱的生长 [144]

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1. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [263]
2. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [232]
3. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [229]
4. Electrically pumped Fabry-Perot microlasers from single Ga-doped Z.. [222]
5. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [188]
6. Enhanced Efficiency of Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Solar… [183]
7. Controllable synthesis of silver nanoparticle aggregates for surfa.. [182]
8. ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 [174]
9. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [173]
10. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 [171]
11. 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文.. [170]
12. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [168]
13. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [164]
14. Fe掺杂对CdS光学特性的影响 [163]
15. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响 [163]
16. Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism.. [162]
17. Annealing effect on smoothness and composition of cubic-phase Mg0... [161]
18. 树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能 [159]
19. DNA-based fabrication of density-controlled vertically aligned ZnO.. [158]
20. Gold nanoparticles modified ZnO nanorods with improved photocataly.. [158]
21. ZnCdSe量子阱_CdSe量子点耦合结构中的激子复合 [158]
22. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [158]
23. 太阳盲MgZnO光电探测器 [153]
24. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [152]
25. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phaseMgZnO/i-M.. [151]
26. 银修饰的ZnO纳米线的发光和光响应性质 [148]
27. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [148]
28. Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode [146]
29. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质 [146]
30. 海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 [143]
31. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 [143]
32. Surface reconstruction of ZnO nanowire arrays via solvent-evaporat.. [139]
33. The growth and the ultraviolet photoresponse properties… [134]
34. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [133]
35. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [129]
36. 分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 [124]
37. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [124]
38. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响 [119]
39. 退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 [118]
40. The lasing action observed in aligned ZnO nanowires [117]
41. The substrate effect on the optical band gap of the Mg0.53Zn0.47O .. [114]
42. The p-type ZnO film realized by a hydrothermal treatment method [113]
43. Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 [113]
44. The surface defect-related electroluminescence from the ZnO microw.. [112]
45. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [111]
46. Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based heterojunction ligh.. [111]
47. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文) [110]
48. ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 [110]
49. MgZnO p-n heterostructure light-emitting devices [107]
50. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) [103]
51. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 [101]
52. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) [99]
53. 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 [99]
54. Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multipl.. [98]
55. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 [96]
56. Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 [96]
57. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象 [95]
58. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [95]
59. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 [95]
60. Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质 [93]
61. 一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法 (发明) [92]
62. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究 [92]
63. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 [92]
64. 制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法 (发明) [91]
65. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) [89]
66. (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 [87]
67. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 [87]
68. Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性 [86]
69. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 [86]
70. 一种以锂氮双受主共掺方式制备ｐ型氧化锌基薄膜的方法 (发明) [85]
71. 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 [84]
72. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明) [81]
73. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 [80]
74. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light.. [78]
75. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [77]
76. ZnCdSe量子点的激子行为研究 [76]
77. 热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响 [75]
78. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) [75]
79. 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) [74]
80. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) [74]
81. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 [73]
82. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) [70]
83. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) [70]
84. 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 (发明) [67]
85. Effect of electrode spacing on the properties of ZnO based MSM ult.. [66]
86. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) [57]
87. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [57]
88. 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 [56]
89. ZnO-based matierial, heterojunction and photoelctronic device [54]
90. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明.. [52]
91. Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-d.. [39]