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1. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [2620]
2. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [2413]
3. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [2340]
4. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [2308]
5. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [2200]
6. MgZnO p-n heterostructure light-emitting devices [2102]
7. Electrically pumped Fabry-Perot microlasers from single Ga-doped Z.. [2076]
8. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [2052]
9. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 [1970]
10. (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 [1959]
11. Controllable synthesis of silver nanoparticle aggregates for surfa.. [1044]
12. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) [1032]
13. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [961]
14. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [938]
15. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质 [922]
16. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象 [908]
17. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响 [902]
18. 树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能 [892]
19. Fe掺杂对CdS光学特性的影响 [885]
20. 退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 [883]
21. 太阳盲MgZnO光电探测器 [871]
22. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响 [850]
23. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [832]
24. 海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 [829]
25. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [827]
26. Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based heterojunction ligh.. [827]
27. Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism.. [820]
28. 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文.. [818]
29. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [812]
30. The p-type ZnO film realized by a hydrothermal treatment method [809]
31. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [795]
32. The surface defect-related electroluminescence from the ZnO microw.. [791]
33. 制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法 (发明) [787]
34. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [787]
35. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [768]
36. Enhanced Efficiency of Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Solar… [767]
37. Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 [757]
38. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [752]
39. 一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法 (发明) [749]
40. Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode [748]
41. Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性 [745]
42. Annealing effect on smoothness and composition of cubic-phase Mg0... [741]
43. 分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 [736]
44. ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 [733]
45. 银修饰的ZnO纳米线的发光和光响应性质 [732]
46. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 [728]
47. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) [722]
48. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) [718]
49. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) [717]
50. Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multipl.. [712]
51. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究 [711]
52. ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 [706]
53. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 [706]
54. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phaseMgZnO/i-M.. [704]
55. Surface reconstruction of ZnO nanowire arrays via solvent-evaporat.. [702]
56. 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 [700]
57. Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质 [697]
58. ZnCdSe量子阱_CdSe量子点耦合结构中的激子复合 [692]
59. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明) [686]
60. 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) [677]
61. Gold nanoparticles modified ZnO nanorods with improved photocataly.. [673]
62. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 [670]
63. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 [669]
64. DNA-based fabrication of density-controlled vertically aligned ZnO.. [666]
65. 一种以锂氮双受主共掺方式制备ｐ型氧化锌基薄膜的方法 (发明) [665]
66. The lasing action observed in aligned ZnO nanowires [664]
67. 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 (发明) [655]
68. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) [652]
69. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 [650]
70. 热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响 [645]
71. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 [638]
72. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) [636]
73. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) [624]
74. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 [621]
75. 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 [610]
76. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文) [609]
77. ZnCdSe量子点的激子行为研究 [609]
78. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light.. [608]
79. The growth and the ultraviolet photoresponse properties… [603]
80. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 [599]
81. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) [595]
82. The substrate effect on the optical band gap of the Mg0.53Zn0.47O .. [587]
83. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明.. [577]
84. Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 [565]
85. Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-d.. [561]
86. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 [552]
87. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [548]
88. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [545]
89. 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 [530]
90. Enhancement of a Cu2O/ZnO photodetector via surface plasmon resona.. [526]
91. ZnO-based matierial, heterojunction and photoelctronic device [521]
92. Effect of electrode spacing on the properties of ZnO based MSM ult.. [377]
93. Epitaxial (110)-oriented cubic MgZnO films on m-plane sapphire for.. [371]
94. p-type doping of ZnO:N thin fims by alternating the growth atmosph.. [341]
95. Smooth surface morphology of ZnO thin films on sapphire at low tem.. [327]
96. Study of Ga-doping effect on the structure of cubic MgZnO [287]
97. 衬底温度对Cd_xZn_(1-x)Te外延层中Cd组分含量的影响 [189]
98. V-W模式ZnSeS量子点的生长 [186]
99. 等离子体协助的ZnS:Mn外延层生长及其电致发光 [151]
100. ZnO覆盖的Si衬底上ZnCdTe-ZnTe量子阱的生长 [144]

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1. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [1711]
2. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [1631]
3. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [1616]
4. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 [1503]
5. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [1499]
6. MgZnO p-n heterostructure light-emitting devices [1484]
7. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [1461]
8. (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 [1406]
9. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [1337]
10. Electrically pumped Fabry-Perot microlasers from single Ga-doped Z.. [1192]
11. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [353]
12. Fe掺杂对CdS光学特性的影响 [311]
13. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响 [303]
14. 退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 [292]
15. 树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能 [285]
16. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [277]
17. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质 [263]
18. 分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 [251]
19. 海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 [238]
20. Enhanced Efficiency of Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Solar… [237]
21. ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 [235]
22. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [233]
23. Controllable synthesis of silver nanoparticle aggregates for surfa.. [231]
24. Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode [230]
25. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 [228]
26. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [228]
27. Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism.. [224]
28. Gold nanoparticles modified ZnO nanorods with improved photocataly.. [221]
29. 银修饰的ZnO纳米线的发光和光响应性质 [220]
30. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [220]
31. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phaseMgZnO/i-M.. [218]
32. Annealing effect on smoothness and composition of cubic-phase Mg0... [215]
33. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 [215]
34. DNA-based fabrication of density-controlled vertically aligned ZnO.. [213]
35. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 [212]
36. 太阳盲MgZnO光电探测器 [209]
37. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [208]
38. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [207]
39. Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multipl.. [205]
40. 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文.. [204]
41. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 [193]
42. The surface defect-related electroluminescence from the ZnO microw.. [190]
43. ZnCdSe量子阱_CdSe量子点耦合结构中的激子复合 [189]
44. The p-type ZnO film realized by a hydrothermal treatment method [188]
45. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [187]
46. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 [186]
47. The substrate effect on the optical band gap of the Mg0.53Zn0.47O .. [183]
48. Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质 [183]
49. Surface reconstruction of ZnO nanowire arrays via solvent-evaporat.. [180]
50. Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based heterojunction ligh.. [173]
51. 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 [173]
52. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 [172]
53. Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 [169]
54. ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 [167]
55. The growth and the ultraviolet photoresponse properties… [163]
56. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 [161]
57. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响 [160]
58. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究 [159]
59. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light.. [158]
60. Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性 [155]
61. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 [155]
62. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [154]
63. 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 [152]
64. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) [149]
65. ZnCdSe量子点的激子行为研究 [144]
66. The lasing action observed in aligned ZnO nanowires [139]
67. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文) [137]
68. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) [133]
69. Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 [132]
70. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象 [131]
71. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [131]
72. 制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法 (发明) [130]
73. 一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法 (发明) [130]
74. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) [127]
75. 热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响 [118]
76. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) [117]
77. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明) [116]
78. 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 (发明) [116]
79. 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) [113]
80. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) [111]
81. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) [109]
82. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 [109]
83. 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 [108]
84. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [100]
85. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) [99]
86. 一种以锂氮双受主共掺方式制备ｐ型氧化锌基薄膜的方法 (发明) [97]
87. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) [86]
88. Effect of electrode spacing on the properties of ZnO based MSM ult.. [83]
89. ZnO-based matierial, heterojunction and photoelctronic device [72]
90. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明.. [68]
91. Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-d.. [58]