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1. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [1104]
2. Electrically pumped Fabry-Perot microlasers from single Ga-doped Z.. [1065]
3. Controllable synthesis of silver nanoparticle aggregates for surfa.. [1013]
4. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [1008]
5. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) [995]
6. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响 [985]
7. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象 [920]
8. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [908]
9. Fe掺杂对CdS光学特性的影响 [904]
10. The p-type ZnO film realized by a hydrothermal treatment method [879]
11. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [877]
12. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [858]
13. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质 [844]
14. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [812]
15. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [804]
16. Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism.. [802]
17. 太阳盲MgZnO光电探测器 [793]
18. 树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能 [779]
19. Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based heterojunction ligh.. [769]
20. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [755]
21. 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文.. [755]
22. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [751]
23. The surface defect-related electroluminescence from the ZnO microw.. [723]
24. 制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法 (发明) [714]
25. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 [713]
26. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [712]
27. Enhanced Efficiency of Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Solar… [710]
28. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响 [710]
29. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [708]
30. 海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 [699]
31. MgZnO p-n heterostructure light-emitting devices [687]
32. 退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 [686]
33. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) [684]
34. Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 [683]
35. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [681]
36. ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 [679]
37. ZnCdSe量子阱_CdSe量子点耦合结构中的激子复合 [678]
38. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [670]
39. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [669]
40. Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性 [668]
41. 银修饰的ZnO纳米线的发光和光响应性质 [662]
42. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) [660]
43. ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 [657]
44. Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode [656]
45. Surface reconstruction of ZnO nanowire arrays via solvent-evaporat.. [656]
46. Annealing effect on smoothness and composition of cubic-phase Mg0... [655]
47. 一种以锂氮双受主共掺方式制备ｐ型氧化锌基薄膜的方法 (发明) [640]
48. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) [637]
49. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phaseMgZnO/i-M.. [631]
50. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [631]
51. (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 [625]
52. The lasing action observed in aligned ZnO nanowires [622]
53. Gold nanoparticles modified ZnO nanorods with improved photocataly.. [616]
54. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 [615]
55. 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) [612]
56. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明) [611]
57. Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multipl.. [608]
58. 热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响 [604]
59. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究 [603]
60. 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 [601]
61. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) [597]
62. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 [592]
63. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 [587]
64. 一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法 (发明) [586]
65. 分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 [585]
66. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) [582]
67. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 [582]
68. 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 (发明) [577]
69. DNA-based fabrication of density-controlled vertically aligned ZnO.. [576]
70. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文) [574]
71. The growth and the ultraviolet photoresponse properties… [570]
72. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 [570]
73. Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质 [569]
74. 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 [569]
75. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 [563]
76. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) [560]
77. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 [560]
78. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明.. [545]
79. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) [542]
80. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 [542]
81. Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-d.. [533]
82. ZnCdSe量子点的激子行为研究 [531]
83. The substrate effect on the optical band gap of the Mg0.53Zn0.47O .. [529]
84. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light.. [521]
85. Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 [510]
86. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 [507]
87. ZnO-based matierial, heterojunction and photoelctronic device [501]
88. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [494]
89. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [473]
90. Enhancement of a Cu2O/ZnO photodetector via surface plasmon resona.. [454]
91. 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 [414]
92. Effect of electrode spacing on the properties of ZnO based MSM ult.. [378]
93. Epitaxial (110)-oriented cubic MgZnO films on m-plane sapphire for.. [350]
94. p-type doping of ZnO:N thin fims by alternating the growth atmosph.. [328]
95. Smooth surface morphology of ZnO thin films on sapphire at low tem.. [308]
96. Study of Ga-doping effect on the structure of cubic MgZnO [282]
97. 衬底温度对Cd_xZn_(1-x)Te外延层中Cd组分含量的影响 [189]
98. V-W模式ZnSeS量子点的生长 [186]
99. 等离子体协助的ZnS:Mn外延层生长及其电致发光 [151]
100. ZnO覆盖的Si衬底上ZnCdTe-ZnTe量子阱的生长 [144]

下载量

1. Fe掺杂对CdS光学特性的影响 [292]
2. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [280]
3. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [260]
4. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [252]
5. Electrically pumped Fabry-Perot microlasers from single Ga-doped Z.. [230]
6. 树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能 [202]
7. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [192]
8. Enhanced Efficiency of Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Solar… [191]
9. ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 [190]
10. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [187]
11. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [187]
12. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 [187]
13. Controllable synthesis of silver nanoparticle aggregates for surfa.. [185]
14. ZnCdSe量子阱_CdSe量子点耦合结构中的激子复合 [184]
15. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [184]
16. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响 [179]
17. 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文.. [177]
18. Gold nanoparticles modified ZnO nanorods with improved photocataly.. [174]
19. 银修饰的ZnO纳米线的发光和光响应性质 [170]
20. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [169]
21. Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism.. [168]
22. Annealing effect on smoothness and composition of cubic-phase Mg0... [167]
23. Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode [163]
24. DNA-based fabrication of density-controlled vertically aligned ZnO.. [161]
25. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [161]
26. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [159]
27. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质 [158]
28. 太阳盲MgZnO光电探测器 [158]
29. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phaseMgZnO/i-M.. [157]
30. 海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 [153]
31. The growth and the ultraviolet photoresponse properties… [150]
32. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 [150]
33. Surface reconstruction of ZnO nanowire arrays via solvent-evaporat.. [146]
34. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [146]
35. 退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 [144]
36. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [143]
37. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 [141]
38. ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 [140]
39. The substrate effect on the optical band gap of the Mg0.53Zn0.47O .. [139]
40. 分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 [139]
41. 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 [132]
42. MgZnO p-n heterostructure light-emitting devices [131]
43. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [131]
44. The p-type ZnO film realized by a hydrothermal treatment method [130]
45. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 [130]
46. The lasing action observed in aligned ZnO nanowires [126]
47. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响 [125]
48. Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 [125]
49. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 [124]
50. Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based heterojunction ligh.. [123]
51. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 [123]
52. The surface defect-related electroluminescence from the ZnO microw.. [122]
53. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [121]
54. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文) [118]
55. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 [116]
56. Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multipl.. [112]
57. Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性 [111]
58. (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 [107]
59. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 [107]
60. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象 [106]
61. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [105]
62. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) [105]
63. ZnCdSe量子点的激子行为研究 [103]
64. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) [102]
65. Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 [102]
66. Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质 [99]
67. 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 [99]
68. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究 [97]
69. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 [95]
70. 一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法 (发明) [94]
71. 制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法 (发明) [92]
72. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) [91]
73. 热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响 [87]
74. 一种以锂氮双受主共掺方式制备ｐ型氧化锌基薄膜的方法 (发明) [87]
75. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light.. [83]
76. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明) [82]
77. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 [81]
78. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) [78]
79. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [78]
80. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) [77]
81. 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) [77]
82. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) [76]
83. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) [75]
84. Effect of electrode spacing on the properties of ZnO based MSM ult.. [74]
85. 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 [72]
86. 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 (发明) [70]
87. ZnO-based matierial, heterojunction and photoelctronic device [69]
88. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [65]
89. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) [60]
90. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明.. [55]
91. Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-d.. [39]