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1. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [1808]
2. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [1600]
3. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [1570]
4. Electrically pumped Fabry-Perot microlasers from single Ga-doped Z.. [1558]
5. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [1528]
6. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [1427]
7. MgZnO p-n heterostructure light-emitting devices [1416]
8. (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 [1326]
9. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [1302]
10. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 [1167]
11. Controllable synthesis of silver nanoparticle aggregates for surfa.. [1010]
12. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) [994]
13. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象 [891]
14. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [883]
15. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响 [875]
16. 太阳盲MgZnO光电探测器 [862]
17. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [862]
18. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质 [845]
19. Fe掺杂对CdS光学特性的影响 [807]
20. 树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能 [801]
21. 退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 [796]
22. 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文.. [796]
23. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [786]
24. Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based heterojunction ligh.. [777]
25. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [772]
26. Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism.. [769]
27. The p-type ZnO film realized by a hydrothermal treatment method [762]
28. 制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法 (发明) [754]
29. 海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 [749]
30. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [747]
31. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [743]
32. The surface defect-related electroluminescence from the ZnO microw.. [741]
33. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响 [737]
34. Enhanced Efficiency of Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Solar… [736]
35. Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 [719]
36. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) [718]
37. 一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法 (发明) [715]
38. Annealing effect on smoothness and composition of cubic-phase Mg0... [709]
39. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [704]
40. Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性 [698]
41. ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 [693]
42. 银修饰的ZnO纳米线的发光和光响应性质 [690]
43. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) [690]
44. Surface reconstruction of ZnO nanowire arrays via solvent-evaporat.. [686]
45. Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode [682]
46. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) [681]
47. ZnCdSe量子阱_CdSe量子点耦合结构中的激子复合 [677]
48. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [673]
49. ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 [670]
50. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [669]
51. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phaseMgZnO/i-M.. [662]
52. 分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 [660]
53. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 [659]
54. 一种以锂氮双受主共掺方式制备ｐ型氧化锌基薄膜的方法 (发明) [658]
55. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究 [658]
56. 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 [658]
57. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明) [657]
58. The lasing action observed in aligned ZnO nanowires [656]
59. Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multipl.. [644]
60. 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) [643]
61. Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质 [642]
62. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 [636]
63. 热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响 [633]
64. DNA-based fabrication of density-controlled vertically aligned ZnO.. [632]
65. Gold nanoparticles modified ZnO nanorods with improved photocataly.. [629]
66. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) [620]
67. 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 (发明) [619]
68. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 [619]
69. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 [616]
70. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 [615]
71. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 [607]
72. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) [601]
73. The growth and the ultraviolet photoresponse properties… [598]
74. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文) [595]
75. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) [594]
76. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 [586]
77. ZnCdSe量子点的激子行为研究 [584]
78. 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 [577]
79. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明.. [569]
80. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 [561]
81. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) [560]
82. Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-d.. [554]
83. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [543]
84. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light.. [542]
85. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 [542]
86. The substrate effect on the optical band gap of the Mg0.53Zn0.47O .. [538]
87. Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 [537]
88. Enhancement of a Cu2O/ZnO photodetector via surface plasmon resona.. [526]
89. ZnO-based matierial, heterojunction and photoelctronic device [512]
90. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [509]
91. 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 [492]
92. Effect of electrode spacing on the properties of ZnO based MSM ult.. [372]
93. Epitaxial (110)-oriented cubic MgZnO films on m-plane sapphire for.. [371]
94. p-type doping of ZnO:N thin fims by alternating the growth atmosph.. [341]
95. Smooth surface morphology of ZnO thin films on sapphire at low tem.. [327]
96. Study of Ga-doping effect on the structure of cubic MgZnO [287]
97. 衬底温度对Cd_xZn_(1-x)Te外延层中Cd组分含量的影响 [189]
98. V-W模式ZnSeS量子点的生长 [186]
99. 等离子体协助的ZnS:Mn外延层生长及其电致发光 [151]
100. ZnO覆盖的Si衬底上ZnCdTe-ZnTe量子阱的生长 [144]

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1. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [898]
2. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [819]
3. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [804]
4. MgZnO p-n heterostructure light-emitting devices [798]
5. (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 [773]
6. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [761]
7. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [711]
8. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 [700]
9. Electrically pumped Fabry-Perot microlasers from single Ga-doped Z.. [674]
10. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [564]
11. Fe掺杂对CdS光学特性的影响 [234]
12. Enhanced Efficiency of Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Solar… [206]
13. 退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 [205]
14. 太阳盲MgZnO光电探测器 [200]
15. Controllable synthesis of silver nanoparticle aggregates for surfa.. [197]
16. ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 [195]
17. 树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能 [194]
18. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 [193]
19. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [190]
20. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响 [190]
21. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [188]
22. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质 [186]
23. Annealing effect on smoothness and composition of cubic-phase Mg0... [183]
24. 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文.. [182]
25. DNA-based fabrication of density-controlled vertically aligned ZnO.. [179]
26. 银修饰的ZnO纳米线的发光和光响应性质 [178]
27. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [178]
28. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [178]
29. Gold nanoparticles modified ZnO nanorods with improved photocataly.. [177]
30. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phaseMgZnO/i-M.. [176]
31. 分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 [175]
32. ZnCdSe量子阱_CdSe量子点耦合结构中的激子复合 [174]
33. Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism.. [173]
34. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [168]
35. Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode [164]
36. Surface reconstruction of ZnO nanowire arrays via solvent-evaporat.. [164]
37. The growth and the ultraviolet photoresponse properties… [158]
38. 海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 [158]
39. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 [155]
40. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [147]
41. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 [146]
42. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [143]
43. The p-type ZnO film realized by a hydrothermal treatment method [141]
44. The surface defect-related electroluminescence from the ZnO microw.. [140]
45. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 [139]
46. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 [138]
47. Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multipl.. [137]
48. The substrate effect on the optical band gap of the Mg0.53Zn0.47O .. [134]
49. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响 [133]
50. The lasing action observed in aligned ZnO nanowires [131]
51. ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 [131]
52. Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 [131]
53. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 [131]
54. 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 [131]
55. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [129]
56. Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质 [128]
57. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 [126]
58. Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based heterojunction ligh.. [123]
59. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文) [123]
60. 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 [119]
61. ZnCdSe量子点的激子行为研究 [119]
62. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象 [114]
63. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [113]
64. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 [112]
65. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) [111]
66. Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性 [108]
67. 热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响 [106]
68. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究 [106]
69. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) [105]
70. Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 [104]
71. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 [99]
72. 制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法 (发明) [97]
73. 一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法 (发明) [96]
74. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) [95]
75. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [95]
76. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [95]
77. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light.. [92]
78. 一种以锂氮双受主共掺方式制备ｐ型氧化锌基薄膜的方法 (发明) [90]
79. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明) [87]
80. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) [82]
81. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) [81]
82. 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 (发明) [80]
83. 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) [80]
84. Effect of electrode spacing on the properties of ZnO based MSM ult.. [79]
85. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) [76]
86. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) [74]
87. 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 [72]
88. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) [69]
89. ZnO-based matierial, heterojunction and photoelctronic device [63]
90. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明.. [60]
91. Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-d.. [51]