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1. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [2268]
2. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [2089]
3. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [1997]
4. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [1986]
5. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [1890]
6. Electrically pumped Fabry-Perot microlasers from single Ga-doped Z.. [1878]
7. MgZnO p-n heterostructure light-emitting devices [1827]
8. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [1741]
9. (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 [1699]
10. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 [1626]
11. Controllable synthesis of silver nanoparticle aggregates for surfa.. [1025]
12. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) [1011]
13. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [921]
14. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [904]
15. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象 [894]
16. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响 [881]
17. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质 [871]
18. 太阳盲MgZnO光电探测器 [868]
19. 退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 [854]
20. Fe掺杂对CdS光学特性的影响 [838]
21. 树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能 [833]
22. 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文.. [804]
23. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [801]
24. Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based heterojunction ligh.. [792]
25. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [788]
26. Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism.. [786]
27. The p-type ZnO film realized by a hydrothermal treatment method [776]
28. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [775]
29. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响 [775]
30. 海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 [772]
31. 制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法 (发明) [768]
32. The surface defect-related electroluminescence from the ZnO microw.. [762]
33. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [759]
34. Enhanced Efficiency of Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Solar… [751]
35. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [749]
36. Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 [732]
37. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [732]
38. 一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法 (发明) [728]
39. Annealing effect on smoothness and composition of cubic-phase Mg0... [723]
40. Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性 [722]
41. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) [721]
42. ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 [710]
43. 银修饰的ZnO纳米线的发光和光响应性质 [706]
44. Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode [706]
45. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [703]
46. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) [701]
47. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) [697]
48. Surface reconstruction of ZnO nanowire arrays via solvent-evaporat.. [695]
49. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 [689]
50. 分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 [686]
51. ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 [685]
52. ZnCdSe量子阱_CdSe量子点耦合结构中的激子复合 [680]
53. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phaseMgZnO/i-M.. [679]
54. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究 [678]
55. Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multipl.. [673]
56. 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 [670]
57. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明) [668]
58. Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质 [663]
59. 一种以锂氮双受主共掺方式制备ｐ型氧化锌基薄膜的方法 (发明) [662]
60. The lasing action observed in aligned ZnO nanowires [660]
61. 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) [656]
62. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 [655]
63. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 [650]
64. Gold nanoparticles modified ZnO nanorods with improved photocataly.. [649]
65. DNA-based fabrication of density-controlled vertically aligned ZnO.. [646]
66. 热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响 [640]
67. 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 (发明) [637]
68. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 [636]
69. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) [634]
70. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 [627]
71. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 [626]
72. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) [618]
73. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) [607]
74. The growth and the ultraviolet photoresponse properties… [598]
75. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 [598]
76. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文) [595]
77. 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 [593]
78. ZnCdSe量子点的激子行为研究 [588]
79. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 [575]
80. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) [574]
81. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明.. [573]
82. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light.. [566]
83. The substrate effect on the optical band gap of the Mg0.53Zn0.47O .. [566]
84. Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-d.. [555]
85. Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 [549]
86. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 [548]
87. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [544]
88. Enhancement of a Cu2O/ZnO photodetector via surface plasmon resona.. [526]
89. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [522]
90. 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 [519]
91. ZnO-based matierial, heterojunction and photoelctronic device [515]
92. Effect of electrode spacing on the properties of ZnO based MSM ult.. [372]
93. Epitaxial (110)-oriented cubic MgZnO films on m-plane sapphire for.. [371]
94. p-type doping of ZnO:N thin fims by alternating the growth atmosph.. [341]
95. Smooth surface morphology of ZnO thin films on sapphire at low tem.. [327]
96. Study of Ga-doping effect on the structure of cubic MgZnO [287]
97. 衬底温度对Cd_xZn_(1-x)Te外延层中Cd组分含量的影响 [189]
98. V-W模式ZnSeS量子点的生长 [186]
99. 等离子体协助的ZnS:Mn外延层生长及其电致发光 [151]
100. ZnO覆盖的Si衬底上ZnCdTe-ZnTe量子阱的生长 [144]

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1. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [1387]
2. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [1288]
3. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [1264]
4. MgZnO p-n heterostructure light-emitting devices [1209]
5. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [1177]
6. N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 [1159]
7. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [1150]
8. (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减 [1146]
9. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [1027]
10. Electrically pumped Fabry-Perot microlasers from single Ga-doped Z.. [994]
11. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [270]
12. Fe掺杂对CdS光学特性的影响 [265]
13. 退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 [263]
14. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响 [228]
15. 树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能 [226]
16. Enhanced Efficiency of Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Solar… [221]
17. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [220]
18. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [216]
19. ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 [212]
20. Controllable synthesis of silver nanoparticle aggregates for surfa.. [212]
21. MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质 [212]
22. 太阳盲MgZnO光电探测器 [206]
23. 分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 [201]
24. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 [201]
25. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [200]
26. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [200]
27. Gold nanoparticles modified ZnO nanorods with improved photocataly.. [197]
28. Annealing effect on smoothness and composition of cubic-phase Mg0... [197]
29. 银修饰的ZnO纳米线的发光和光响应性质 [194]
30. DNA-based fabrication of density-controlled vertically aligned ZnO.. [193]
31. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phaseMgZnO/i-M.. [193]
32. Evidence of cation vacancy induced room temperature ferromagnetism.. [190]
33. 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文.. [190]
34. Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode [188]
35. 海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 [181]
36. ZnCdSe量子阱_CdSe量子点耦合结构中的激子复合 [177]
37. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 [177]
38. 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 [176]
39. Surface reconstruction of ZnO nanowire arrays via solvent-evaporat.. [173]
40. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [171]
41. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响 [169]
42. Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multipl.. [166]
43. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [163]
44. The substrate effect on the optical band gap of the Mg0.53Zn0.47O .. [162]
45. The surface defect-related electroluminescence from the ZnO microw.. [161]
46. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [159]
47. The growth and the ultraviolet photoresponse properties… [158]
48. The p-type ZnO film realized by a hydrothermal treatment method [155]
49. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 [153]
50. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 [152]
51. Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质 [149]
52. ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 [146]
53. Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 [144]
54. 富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 [143]
55. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响 [139]
56. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 [138]
57. Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based heterojunction ligh.. [138]
58. The lasing action observed in aligned ZnO nanowires [135]
59. 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 [135]
60. Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性 [132]
61. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 [131]
62. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [128]
63. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) [128]
64. ZnO纳米线紫外探测器的制备和快速响应性能的研究 [126]
65. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文) [123]
66. ZnCdSe量子点的激子行为研究 [123]
67. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象 [117]
68. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light.. [116]
69. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) [116]
70. Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 [116]
71. 热处理对立方相结构Mg0.57Zn0.43O合金薄膜表面和组成的影响 [113]
72. 制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法 (发明) [111]
73. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) [109]
74. 一种实现高效电致发光和低阈值激光的新方法 (发明) [109]
75. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [108]
76. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件 [105]
77. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明) [98]
78. 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法 (发明) [98]
79. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) [97]
80. 点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 [97]
81. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [96]
82. 一种以锂氮双受主共掺方式制备ｐ型氧化锌基薄膜的方法 (发明) [94]
83. 制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) [93]
84. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明) [91]
85. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) [90]
86. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) [85]
87. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) [82]
88. Effect of electrode spacing on the properties of ZnO based MSM ult.. [79]
89. ZnO-based matierial, heterojunction and photoelctronic device [66]
90. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明.. [64]
91. Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-d.. [52]