Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 | |
郑剑; 乔倩; 张振中![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2014-11-15 | |
Source Publication | 发光学报
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Issue | 11Pages:1291-1296 |
Abstract | 在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态,在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用,使得器件形成高的光导增益。 |
Keyword | 立方mgzno 深紫外探测器 光导增益 |
Language | 中文 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43446 |
Collection | 中科院长春光机所知识产出 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 郑剑,乔倩,张振中,等. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器[J]. 发光学报,2014(11):1291-1296. |
APA | 郑剑.,乔倩.,张振中.,王立昆.,韩舜.,...&申德振.(2014).基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器.发光学报(11),1291-1296. |
MLA | 郑剑,et al."基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器".发光学报 .11(2014):1291-1296. |
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基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外(374KB) | 开放获取 | CC BY-NC-SA | View Download |
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