梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长

	梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长
	郑剑; 张振中; 王立昆; 韩舜; 张吉英; 刘益春; 王双鹏; 姜明明; 李炳辉; 赵东旭; 刘雷; 刘可为; 单崇新; 申德振
	2014-09-15
发表期刊	发光学报
期号	9 页码:1040-1045
摘要	为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长295 nm。
关键词	立方mgzno 缓冲层带隙调制
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42968
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	郑剑,张振中,王立昆,等. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长[J]. 发光学报,2014(9):1040-1045.
APA	郑剑.,张振中.,王立昆.,韩舜.,张吉英.,...&申德振.(2014).梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长.发光学报(9),1040-1045.
MLA	郑剑,et al."梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长".发光学报 .9(2014):1040-1045.

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梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_0_（345KB）			开放获取	CC BY-NC-SA	浏览请求全文