Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 | |
赵鹏程; 张振中![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2014 | |
发表期刊 | 发光学报
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期号 | 4页码:399-403 |
摘要 | 使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品,由于存在大量的施主缺陷,呈现n型电导。为了抑制施主缺陷带来的补偿效应,在生长过程中,通过周期性补充氧气,形成周期性的富氧气氛,缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾。光致发光测量表明,通过交替生长气氛,氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制。通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结晶质量也有所提高。样品显示出重复性较高的p型电导,载流子浓度可达到1016cm-3。周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法。 |
文章类型 | 期刊 |
关键词 | 氧化锌 P型掺杂 间歇性补氧 |
语种 | 中文 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42668 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵鹏程,张振中,姚斌,等. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性[J]. 发光学报,2014(4):399-403. |
APA | 赵鹏程.,张振中.,姚斌.,李炳辉.,王双鹏.,...&申德振.(2014).通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性.发光学报(4),399-403. |
MLA | 赵鹏程,et al."通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性".发光学报 .4(2014):399-403. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学(1332KB) | 开放获取 | ODC PDDL | 浏览 下载 |
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