一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明)

	*一种电子束蒸发生长MgZn*O薄膜的方法 (发明)
	张吉英; 赵延民; 吕有明; 申德振; 张振中; 李柄辉; 姚斌; 赵东旭; 范希武
	2008-07-02
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于半导体光电材料技术领域，涉及一种电子束蒸发生长Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜的方法，利用电子束蒸发设备使烧结多晶ＭｇＯ和ＺｎＯ粉末形成的复合靶经电子束加热蒸发，沉积于基片上，形成Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ半导体合金薄膜。本发明制备工艺简单，成本低，适合于制备２８０ｎｍ－２２０ｎｍ波段的适于紫外探测器用……
资助项目	101210313
申请号	200610173389.5
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11029
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	张吉英,赵延民,吕有明,等. 一种电子束蒸发生长MgZn**O薄膜的方法 (发明)[P]. 2008-07-02.