Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) | |
张吉英; 赵延民; 吕有明; 申德振![]() ![]() ![]() | |
2008-07-02 | |
专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
公开日期 | 2012-08-29 |
专利类型 | 发明专利 |
摘要 | 本发明属于半导体光电材料技术领域,涉及一种电子束蒸发生长Mg↓[x]Zn↓[1-x]O薄膜的方法,利用电子束蒸发设备使烧结多晶MgO和ZnO粉末形成的复合靶经电子束加热蒸发,沉积于基片上,形成Mg↓[x]Zn↓[1-x]O半导体合金薄膜。本发明制备工艺简单,成本低,适合于制备280nm-220nm波段的适于紫外探测器用…… |
资助项目 | 101210313 |
申请号 | 200610173389.5 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11029 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张吉英,赵延民,吕有明,等. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明)[P]. 2008-07-02. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN200810121031300000(308KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
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