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太阳盲MgZnO光电探测器
蒋大勇; 张吉英; 单崇新; 吕有明; 赵延民; 韩舜; 姚斌; 张振中; 赵东旭; 申德振; 范希武
2008-08-15
发表期刊发光学报
ISSN1000-7032
期号4
摘要利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225nm,截止边为230nm。
关键词Mgzno合金薄膜 太阳盲光电探测器 射频磁控溅射
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21733
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
蒋大勇,张吉英,单崇新,等. 太阳盲MgZnO光电探测器[J]. 发光学报,2008(4).
APA 蒋大勇.,张吉英.,单崇新.,吕有明.,赵延民.,...&范希武.(2008).太阳盲MgZnO光电探测器.发光学报(4).
MLA 蒋大勇,et al."太阳盲MgZnO光电探测器".发光学报 .4(2008).
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