中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明)
	张吉英; 刘可为; 蒋大勇; 申德振; 赵东旭; 吕有明; 姚斌; 张振中; 李炳辉
	2008-04-30
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于半导体光电材料技术领域，涉及一种高镁浓度ＭｇＺｎＯ薄膜的制备方法，利用磁控溅射（ＲＦ　　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）设备外延生长方法，获得高质量的ＭｇＺｎＯ半导体三元合金薄膜；在合成的过程中可通过改变ＭｇＺｎＯ陶瓷靶中ＭｇＯ的浓度大小、衬底温度或者氩气和氧气流量来获得在２４０－３２０ｎｍ波段的……
资助项目	101168837
申请号	200610130882.9
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11031
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	张吉英,刘可为,蒋大勇,等. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明)[P]. 2008-04-30.

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CN200810116883700000（346KB）			开放获取	--	浏览 下载

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