Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 | |
王晓华; 范希武; 单崇新; 张振中 ; 张吉英; 刘益春; 吕有明; 申德振
| |
| 2003-02-28 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| 期号 | 01页码:61-65 |
| 关键词 | 硒化锌薄膜 Si衬底 Zno缓冲层 Lp-mocvd |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29223 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓华,范希武,单崇新,等. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响[J]. 发光学报,2003(01):61-65. |
| APA | 王晓华.,范希武.,单崇新.,张振中.,张吉英.,...&申德振.(2003).ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响.发光学报(01),61-65. |
| MLA | 王晓华,et al."ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响".发光学报 .01(2003):61-65. |
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