_CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程

	_CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程
	张振中
	2008-10-03
发表期刊	物理学报
期号	10
摘要	设计了(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用吸收光谱、室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运-探测方法研究了该复合结构中的激子隧穿过程.分别测量了该结构中CdZnTe/ZnTe量子阱层和ZnSeTe/ZnTe量子阱层中激子衰减时间.观察到从CdZnTe/ZnTe量子阱层向ZnSeTe/ZnTe量子阱层的快速激子隧穿,隧穿时间为5.5ps.
收录类别	SCI ; EI
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23722
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	张振中. _CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程[J]. 物理学报,2008(10).
APA	张振中.(2008)._CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程.物理学报(10).
MLA	张振中."_CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程".物理学报 .10(2008).