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制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明)
秦杰明; 姚斌; 张吉英; 申德振; 赵东旭; 张振中; 李炳辉
2008-10-22
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2012-08-29
专利类型发明专利
摘要本发明涉及制备透明、低阻氧化锌半导体陶瓷的方法,特别是一种热压烧结法制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法,是以粉体ZnO为原料,在压力为2~5.1GPa、温度为400~900℃条件下热压烧结获得n型ZnO多晶半导体透明陶瓷。该方法制备的n型ZnO半导体透明陶瓷,其透过率为30~67%、载流子浓度为1.0×10↑[12-1……
资助项目101289317
申请号200810050791.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/10975
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
秦杰明,姚斌,张吉英,等. 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明)[P]. 2008-10-22.
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