中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明)
	蒋大勇; 张吉英; 申德振; 姚斌; 赵东旭; 张振中
	2009-12-02
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2009-12-02
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于半导体光电技术领域，涉及一种ＭｇＺｎＯ紫外光电探测器的制备方法，通过交流磁控溅射制备不同带隙宽度（３．３７～４．１３ｅＶ）的高质量ＭｇＺｎＯ合金薄膜，并在此基础上通过真空热蒸发和湿法刻蚀的方法制备ＭＳＭ结构电极的ＭｇＺｎＯ紫外光电探测器。采用本发明制备的ＭｇＺｎＯ紫外光电探测器具备高的紫外可见比和较低的暗电流……
资助项目	100565940
申请号	200810050587.1
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11383
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	蒋大勇,张吉英,申德振,等. 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明)[P]. 2009-12-02.

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CN200810125706400000（610KB）			开放获取	--	浏览 下载

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