Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 | |
赵鹏程; 张振中 ; 姚斌; 李炳辉; 王双鹏; 姜明明; 赵东旭; 单崇新; 刘雷; 申德振
| |
| 2014-07-15 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| 期号 | 7页码:795-799 |
| 摘要 | 利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B—N键。B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO∶(B,N)薄膜在两年多的时间内一直显示稳定的p型电导。这是由于B—N键的存在提高了N在ZnO薄膜中的固溶度,且B—N键之间强的键能和B占据Zn位所表现的弱施主特性不会带来强的施主补偿效应,说明B是N掺杂ZnO薄膜的一种良好的共掺元素。 |
| 文章类型 | 期刊 |
| 关键词 | Zno B/n共掺 P型掺杂 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42829 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵鹏程,张振中,姚斌,等. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响[J]. 发光学报,2014(7):795-799. |
| APA | 赵鹏程.,张振中.,姚斌.,李炳辉.,王双鹏.,...&申德振.(2014).硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响.发光学报(7),795-799. |
| MLA | 赵鹏程,et al."硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响".发光学报 .7(2014):795-799. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响.caj（485KB） | 开放获取 | ODC PDDL | 浏览 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [赵鹏程]的文章 |
| [张振中]的文章 |
| [姚斌]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [赵鹏程]的文章 |
| [张振中]的文章 |
| [姚斌]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [赵鹏程]的文章 |
| [张振中]的文章 |
| [姚斌]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论