Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) | |
秦杰明; 姚斌; 张吉英; 申德振 ; 赵东旭; 张振中; 李炳辉
| |
| 2010-12-15 | |
| 专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 公开日期 | 2010-12-15 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法，是以摩尔百分比为９５％～９９．９％ＺｎＯ和５％～０．１％Ｓｂ的混合粉体为原料，在压力为２～５．４ＧＰａ、温度为１４００～１６００℃条件下热压烧结制得ｐ型ＺｎＯ多晶体体材料。该方法制备的ｐ型ＺｎＯ半导体体材料，其载流子浓度为１．０×１０↑［１３～２１］ｃｍ↑［－３］，电阻率为１…… |
| 资助项目 | 101311364B |
| 申请号 | 200810050450.6 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11051 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦杰明,姚斌,张吉英,等. 制备ｐ型氧化锌半导体体材料的方法 (发明)[P]. 2010-12-15. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200810131136400000（305KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
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