制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明)

	制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明)
	秦杰明; 张吉英; 姚斌; 申德振; 赵东旭; 张振中; 李炳辉
	2010-11-10
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2010-11-10
专利类型	发明专利
摘要	本发明涉及制备Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ半导体合金体材料的方法，特别是一种制备单一立方相结构的Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ半导体合金体材料的方法。将按摩尔比为ＭｇＯ：０．３２～０．６１，ＺｎＯ：０．６８～０．３９的ＭｇＯ和ＺｎＯ粉体混合料在压力为４～６ＧＰａ、温度为１６００～２０００℃的条件下热压烧结制得Ｍｇ↓［……
资助项目	101285147B
申请号	200810050790.9
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11028
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	秦杰明,张吉英,姚斌,等. 制备单一立方相结构的ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ半导体合金体材料的方法 (发明)[P]. 2010-11-10.