一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明)

	一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明)
	魏志鹏; 吕有明; 申德振; 张吉英; 张振中
	2008-07-23
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2008-07-23
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于半导体材料技术领域，涉及利用光谱探测技术确定等离子体组分指导等离子辅助制备掺杂半导体材料的方法。利用光谱仪测量气体源的射频等离子体光发射谱，分析等离子体的化学组分。通过调节气体源流量改变生长室压力，调节射频功率等促进对实验有利的组分增加，减少其他组分的不利影响，选择最佳实验条件制备Ｎ掺杂的Ｐ型ＺｎＯ。本发明通……
资助项目	100405045
申请号	200510016509.6
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11189
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	魏志鹏,吕有明,申德振,等. 一种指导等离子辅助制备半导体材料的光谱探测方法 (发明)[P]. 2008-07-23.