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1. 平板玻璃电真空显示器件的消气方法 (发明) [1243]
2. 带有消气装置的平板玻璃电真空显示器件 (实用新型) [1062]
3. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1019]
4. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [934]
5. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [905]
6. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [878]
7. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [855]
8. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [847]
9. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [831]
10. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [828]
11. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [817]
12. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [812]
13. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [795]
14. 掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究 [773]
15. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [763]
16. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [763]
17. 碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性 [749]
18. 一种选域金刚石膜的制备方法 (发明) [740]
19. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [736]
20. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [722]
21. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [705]
22. GaAs微尖上碳纳米管的制备 [683]
23. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [668]
24. 碳纳米管场发射自旋电子源的制备方法 (发明) [668]
25. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [658]
26. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [658]
27. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [652]
28. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [646]
29. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [645]
30. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [640]
31. 真空镀膜系统中真空室观察窗的转动档板 (实用新型) [637]
32. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [637]
33. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [633]
34. 对碳纳米材料进行精密选域组装方法 (发明) [632]
35. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [618]
36. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [617]
37. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [589]
38. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [583]
39. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [582]
40. 真空镀膜中电阻加热式蒸发舟活动电极 (实用新型) [571]
41. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [559]
42. 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究 [547]
43. 一种场发射显示荧光屏电荷积累的消除方法 (发明) [539]
44. CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究 [530]
45. HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光 [511]
46. 硅基籽晶上化学气相沉积金刚石薄膜及其场发射特性 [510]
47. 场发射显示用冷阴极的硅衬底结构及制备 (发明) [498]
48. 一种改善蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法 (发明) [497]
49. 真空镀膜领域中使用的加热蒸发舟 (实用新型) [497]
50. 嵌入式DSP冷轧带钢板形信号处理系统研制 [497]
51. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [466]
52. 一种平板玻璃真空显示器件的封口工艺方法 (发明) [443]
53. 电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极_英文_ [394]
54. 水垢清除仪 （实用新型） [384]

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1. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [208]
2. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [208]
3. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [204]
4. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [203]
5. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [185]
6. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [179]
7. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [174]
8. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [174]
9. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [172]
10. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [165]
11. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [162]
12. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [157]
13. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [153]
14. 碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性 [143]
15. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [141]
16. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [139]
17. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [132]
18. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [125]
19. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [121]
20. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [119]
21. GaAs微尖上碳纳米管的制备 [114]
22. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [109]
23. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [97]
24. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [97]
25. 嵌入式DSP冷轧带钢板形信号处理系统研制 [89]
26. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [89]
27. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [80]
28. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [78]
29. 硅基籽晶上化学气相沉积金刚石薄膜及其场发射特性 [77]
30. 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究 [75]
31. CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究 [72]
32. 对碳纳米材料进行精密选域组装方法 (发明) [71]
33. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [71]
34. 碳纳米管场发射自旋电子源的制备方法 (发明) [70]
35. 一种场发射显示荧光屏电荷积累的消除方法 (发明) [69]
36. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [69]
37. 真空镀膜系统中真空室观察窗的转动档板 (实用新型) [69]
38. HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光 [69]
39. 平板玻璃电真空显示器件的消气方法 (发明) [68]
40. 真空镀膜领域中使用的加热蒸发舟 (实用新型) [65]
41. 掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究 [63]
42. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [60]
43. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [59]
44. 真空镀膜中电阻加热式蒸发舟活动电极 (实用新型) [59]
45. 一种选域金刚石膜的制备方法 (发明) [50]
46. 电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极_英文_ [50]
47. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [49]
48. 一种改善蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法 (发明) [48]
49. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [48]
50. 场发射显示用冷阴极的硅衬底结构及制备 (发明) [43]
51. 带有消气装置的平板玻璃电真空显示器件 (实用新型) [40]
52. 一种平板玻璃真空显示器件的封口工艺方法 (发明) [37]
53. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [36]
54. 水垢清除仪 （实用新型） [34]