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1. 平板玻璃电真空显示器件的消气方法 (发明) [1224]
2. 带有消气装置的平板玻璃电真空显示器件 (实用新型) [1063]
3. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [988]
4. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [929]
5. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [898]
6. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [876]
7. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [857]
8. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [839]
9. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [826]
10. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [821]
11. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [807]
12. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [803]
13. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [781]
14. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [768]
15. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [764]
16. 碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性 [757]
17. 掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究 [752]
18. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [724]
19. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [723]
20. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [703]
21. 一种选域金刚石膜的制备方法 (发明) [695]
22. GaAs微尖上碳纳米管的制备 [687]
23. 碳纳米管场发射自旋电子源的制备方法 (发明) [664]
24. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [662]
25. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [656]
26. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [655]
27. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [650]
28. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [644]
29. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [643]
30. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [642]
31. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [638]
32. 真空镀膜系统中真空室观察窗的转动档板 (实用新型) [638]
33. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [631]
34. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [617]
35. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [617]
36. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [591]
37. 对碳纳米材料进行精密选域组装方法 (发明) [588]
38. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [584]
39. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [577]
40. 真空镀膜中电阻加热式蒸发舟活动电极 (实用新型) [560]
41. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [557]
42. 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究 [554]
43. 一种场发射显示荧光屏电荷积累的消除方法 (发明) [540]
44. CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究 [534]
45. HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光 [514]
46. 硅基籽晶上化学气相沉积金刚石薄膜及其场发射特性 [505]
47. 嵌入式DSP冷轧带钢板形信号处理系统研制 [498]
48. 场发射显示用冷阴极的硅衬底结构及制备 (发明) [497]
49. 真空镀膜领域中使用的加热蒸发舟 (实用新型) [497]
50. 一种改善蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法 (发明) [494]
51. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [465]
52. 一种平板玻璃真空显示器件的封口工艺方法 (发明) [441]
53. 电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极_英文_ [394]
54. 水垢清除仪 （实用新型） [383]

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1. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [207]
2. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [206]
3. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [202]
4. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [197]
5. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [181]
6. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [175]
7. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [173]
8. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [173]
9. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [171]
10. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [164]
11. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [161]
12. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [153]
13. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [149]
14. 碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性 [147]
15. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [137]
16. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [136]
17. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [128]
18. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [124]
19. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [120]
20. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [115]
21. GaAs微尖上碳纳米管的制备 [115]
22. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [108]
23. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [99]
24. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [95]
25. 嵌入式DSP冷轧带钢板形信号处理系统研制 [88]
26. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [88]
27. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [85]
28. 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究 [80]
29. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [77]
30. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [75]
31. 硅基籽晶上化学气相沉积金刚石薄膜及其场发射特性 [74]
32. HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光 [73]
33. CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究 [72]
34. 对碳纳米材料进行精密选域组装方法 (发明) [70]
35. 碳纳米管场发射自旋电子源的制备方法 (发明) [69]
36. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [69]
37. 真空镀膜系统中真空室观察窗的转动档板 (实用新型) [68]
38. 平板玻璃电真空显示器件的消气方法 (发明) [67]
39. 一种场发射显示荧光屏电荷积累的消除方法 (发明) [67]
40. 真空镀膜领域中使用的加热蒸发舟 (实用新型) [65]
41. 掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究 [65]
42. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [59]
43. 真空镀膜中电阻加热式蒸发舟活动电极 (实用新型) [59]
44. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [58]
45. 一种选域金刚石膜的制备方法 (发明) [50]
46. 电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极_英文_ [50]
47. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [49]
48. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [48]
49. 一种改善蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法 (发明) [47]
50. 场发射显示用冷阴极的硅衬底结构及制备 (发明) [42]
51. 带有消气装置的平板玻璃电真空显示器件 (实用新型) [40]
52. 一种平板玻璃真空显示器件的封口工艺方法 (发明) [37]
53. 水垢清除仪 （实用新型） [35]
54. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [34]