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1. GaAs微尖上碳纳米管的制备 [1898]
2. 平板玻璃电真空显示器件的消气方法 (发明) [1344]
3. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1171]
4. 带有消气装置的平板玻璃电真空显示器件 (实用新型) [1114]
5. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [1072]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [1040]
7. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [997]
8. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [996]
9. 碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性 [969]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [964]
11. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [953]
12. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [942]
13. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [941]
14. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [935]
15. 掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究 [920]
16. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [907]
17. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [880]
18. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [875]
19. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [863]
20. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [835]
21. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [792]
22. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [780]
23. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [774]
24. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [768]
25. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [762]
26. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [761]
27. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [748]
28. 一种选域金刚石膜的制备方法 (发明) [745]
29. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [739]
30. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [738]
31. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [736]
32. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [734]
33. 碳纳米管场发射自旋电子源的制备方法 (发明) [716]
34. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [716]
35. 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究 [709]
36. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [703]
37. 真空镀膜系统中真空室观察窗的转动档板 (实用新型) [684]
38. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [681]
39. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [655]
40. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [645]
41. 对碳纳米材料进行精密选域组装方法 (发明) [645]
42. HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光 [639]
43. CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究 [618]
44. 一种场发射显示荧光屏电荷积累的消除方法 (发明) [610]
45. 真空镀膜中电阻加热式蒸发舟活动电极 (实用新型) [584]
46. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [567]
47. 一种改善蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法 (发明) [551]
48. 嵌入式DSP冷轧带钢板形信号处理系统研制 [551]
49. 场发射显示用冷阴极的硅衬底结构及制备 (发明) [550]
50. 硅基籽晶上化学气相沉积金刚石薄膜及其场发射特性 [547]
51. 真空镀膜领域中使用的加热蒸发舟 (实用新型) [525]
52. 一种平板玻璃真空显示器件的封口工艺方法 (发明) [464]
53. 电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极_英文_ [460]
54. 水垢清除仪 （实用新型） [409]

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1. GaAs微尖上碳纳米管的制备 [1291]
2. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [310]
3. 碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性 [276]
4. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [268]
5. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [261]
6. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [248]
7. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [242]
8. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [240]
9. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [235]
10. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [222]
11. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [222]
12. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [220]
13. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [215]
14. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [205]
15. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [205]
16. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [195]
17. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [185]
18. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [183]
19. HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光 [176]
20. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [175]
21. 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究 [171]
22. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [171]
23. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [170]
24. 掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究 [129]
25. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [125]
26. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [125]
27. CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究 [124]
28. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [123]
29. 嵌入式DSP冷轧带钢板形信号处理系统研制 [113]
30. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [108]
31. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [105]
32. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [97]
33. 真空镀膜系统中真空室观察窗的转动档板 (实用新型) [97]
34. 对碳纳米材料进行精密选域组装方法 (发明) [96]
35. 平板玻璃电真空显示器件的消气方法 (发明) [92]
36. 碳纳米管场发射自旋电子源的制备方法 (发明) [92]
37. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [86]
38. 硅基籽晶上化学气相沉积金刚石薄膜及其场发射特性 [85]
39. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [81]
40. 一种场发射显示荧光屏电荷积累的消除方法 (发明) [76]
41. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [76]
42. 一种选域金刚石膜的制备方法 (发明) [74]
43. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [73]
44. 电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极_英文_ [72]
45. 场发射显示用冷阴极的硅衬底结构及制备 (发明) [69]
46. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [67]
47. 一种改善蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法 (发明) [66]
48. 真空镀膜领域中使用的加热蒸发舟 (实用新型) [65]
49. 真空镀膜中电阻加热式蒸发舟活动电极 (实用新型) [64]
50. 带有消气装置的平板玻璃电真空显示器件 (实用新型) [64]
51. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [58]
52. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [46]
53. 一种平板玻璃真空显示器件的封口工艺方法 (发明) [41]
54. 水垢清除仪 （实用新型） [37]