Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) | |
王新建; 宋航 ; 黎大兵; 蒋红; 李志明; 缪国庆; 陈一仁; 孙晓娟
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| 2012-10-15 | |
| 发表期刊 | 发光学报
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| 期号 | 10页码:1089-1094 |
| 关键词 | Aln Gan缓冲层 晶体结构 晶粒尺寸 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/27272 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王新建,宋航,黎大兵,等. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)[J]. 发光学报,2012(10):1089-1094. |
| APA | 王新建.,宋航.,黎大兵.,蒋红.,李志明.,...&孙晓娟.(2012).GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文).发光学报(10),1089-1094. |
| MLA | 王新建,et al."GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)".发光学报 .10(2012):1089-1094. |
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