Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 场发射显示用冷阴极的硅衬底结构及制备 (发明) | |
宋航 ; 李志明; 赵海峰; 元光; 金亿鑫
| |
| 2004-07-28 | |
| 专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 公开日期 | 2012-08-29 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及一种能够在硅衬底上实现线条阵列线间隔离的冷阴极结构。根据矩阵显示分辨率的需要，在导电硅衬底上刻蚀出一定宽度和数量的线条沟道和沟台阵列，在沟道内扩散反型杂质获得ｐ－ｎ结线条沟道并在其一端蒸镀金属，从而实现阵列线条沟道间的隔离，完成场发射显示用冷阴极硅衬底结构的制备。线条沟道２、扩散区３、扩散区４、引线焊盘５、沟…… |
| 资助项目 | 1516214 |
| 申请号 | 3110837.7 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11370 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋航,李志明,赵海峰,等. 场发射显示用冷阴极的硅衬底结构及制备 (发明)[P]. 2004-07-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200400151621400000（268KB） | 开放获取 | -- | 浏览 请求全文 | |||
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