Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) | |
李志明 ; 孙晓娟; 宋航; 黎大兵; 陈一仁; 缪国庆; 蒋红
| |
| 2012-06-13 | |
| 专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 公开日期 | 2012-06-13 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，涉及平板场发射真空光电子器件领域，它解决了现有制作绝缘层的工艺复杂，绝缘性差，成品率低的问题，首先利用光刻技术在阴极电极条上做光刻胶占位点，然后旋涂低熔点玻璃浆料，经过烘干、整形以及适当温度烧结以及低熔点玻璃浆料的表面抛光，实现低熔点玻璃浆料与光刻胶具有相同的厚度。最后通过去除…… |
| 资助项目 | 101882548B |
| 申请号 | 201010229148.4 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11773 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李志明,孙晓娟,宋航,等. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明)[P]. 2012-06-13. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010188254800000（382KB） | 开放获取 | -- | 浏览 请求全文 | |||
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