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电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极_英文_
宋航; 李志明
2008-02-06
发表期刊电子器件
期号1
摘要本研究探索了一种电泳选域组装碳纳米管发射器到正栅极结构的衬底中作为三极管结构的场发射显示阴极的工艺。在这个工艺中,悬浊液中的碳纳米管在施加于栅极电极和阴极电极的电压的作用下移向并淀积到三极管结构的衬底中。同时,这个栅极电极的正电压能够排斥悬浊的碳纳米管,使栅极电极不吸附碳纳米管。实验结果表明,碳纳米管选域组装到栅极孔洞中去,并且每一个孔洞中碳纳米管具有相同的组装密度。该工艺成本低、可实现大面积阴极的制备,是一种在制备三极管型碳纳米管场发射显示阴极中可供选择的工艺。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21533
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
宋航,李志明. 电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极_英文_[J]. 电子器件,2008(1).
APA 宋航,&李志明.(2008).电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极_英文_.电子器件(1).
MLA 宋航,et al."电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极_英文_".电子器件 .1(2008).
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