中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	碳纳米管场发射自旋电子源的制备方法 (发明)
	蒋红; 宋航; 李志明; 缪国庆
	2008-02-06
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	本发明碳纳米管场发射自旋电子源的制备方法，属于电子技术领域中大规模集成电路中所用的电子器件，特别涉及到自旋电子源的制备方法。本发明采用半导体单晶硅做为衬底，首先在衬底上通过磁控溅射或离子束溅射手段制备Ｃｏ、ＦｅＮｉ铁磁性金属及稀磁半导体自旋极化电极，以便实现自旋电子向碳纳米管中的注入。然后在自旋电极表面采用定域组装、定……
资助项目	101118826
申请号	200710056040.8
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11490
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	蒋红,宋航,李志明,等. 碳纳米管场发射自旋电子源的制备方法 (发明)[P]. 2008-02-06.

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CN200810111882600000（228KB）			开放获取	--	浏览 下载

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