采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明)

	采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明)
	黎大兵; 孙晓娟; 宋航; 李志明; 陈一仁; 缪国庆; 蒋红
	2011-11-30
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法，涉及半导体技术领域，它解决了现有制备ＡｌＧａＮ探测器的方法无法实现ＡｌＧａＮ基材料中存在高密度的位错的问题，本发明方法为：在常规衬底上生长ＡｌＧａＮ基材料；然后在所述的ＡｌＧａＮ基材料表面制备纳米粒子；采用光刻技术在纳米粒子上制备光刻胶掩膜图形；采用真空蒸发方法在光刻胶掩膜……
资助项目	102263166A
申请号	201110212296.X
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11991
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	黎大兵,孙晓娟,宋航,等. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明)[P]. 2011-11-30.