中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明)
	黎大兵; 孙晓娟; 宋航; 李志明; 陈一仁; 缪国庆; 蒋红
	2011-12-14
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法，涉及半导体技术领域。它解决了现有在硅衬底上生长的非极性面ＧａＮ模板不能用于生长非极性面ＡｌＧａＮ，尤其是在ＧａＮ模板上生长高Ａｌ组分ＡｌＧａＮ时模板表面存在裂纹且表面不平整的问题，其方法为：选择硅衬底；采用光刻、电子束蒸发以及Ｌｉｆｔ　Ｏｆｆ技术获得适合ＡｌＮ外延生长的图形化……
资助项目	102280370A
申请号	201110212298.9
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12001
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	黎大兵,孙晓娟,宋航,等. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明)[P]. 2011-12-14.

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