Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) | |
缪国庆; 金亿鑫; 宋航; 蒋红; 黎大兵; 李志明; 孙晓娟; 陈一仁 | |
2011-08-03 | |
专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
公开日期 | 2012-08-29 |
专利类型 | 发明专利 |
摘要 | 一种生长高铟组分铟镓砷的方法,涉及光电子材料与器件的应用领域,它解决了现有InxGa1-xAs红外探测器中由于提高InxGa1-xAs中In组分与InP衬底产生晶格失配,导致探测器性能下降,增加了缓冲层厚度的问题,本发明在低温430℃时生长组分为InxGa1-xAs缓冲层,然后升高温度,并在高温对缓冲层进行恒温处理,然…… |
资助项目 | 102140695A |
申请号 | 201010604154.3 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11926 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪国庆,金亿鑫,宋航,等. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明)[P]. 2011-08-03. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN201110214069500000(139KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
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