中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明)
	缪国庆; 金亿鑫; 宋航; 蒋红; 黎大兵; 李志明; 孙晓娟; 陈一仁
	2011-08-03
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	一种生长高铟组分铟镓砷的方法，涉及光电子材料与器件的应用领域，它解决了现有ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ红外探测器中由于提高ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｉｎ组分与ＩｎＰ衬底产生晶格失配，导致探测器性能下降，增加了缓冲层厚度的问题，本发明在低温４３０℃时生长组分为ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层，然后升高温度，并在高温对缓冲层进行恒温处理，然……
资助项目	102140695A
申请号	201010604154.3
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11926
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	缪国庆,金亿鑫,宋航,等. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明)[P]. 2011-08-03.

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CN201110214069500000（139KB）			开放获取	--	浏览 下载

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