Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 | |
缪国庆; 张立功; 宋航; 蒋红; 黎大兵; 李志明; 孙晓娟 | |
2010-08-01 | |
发表期刊 | 发光学报 |
ISSN | 1000-7032 |
卷号 | 31期号:5页码:767-06 |
摘要 | 采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在Si(100)、(111)衬底上成功生长了InP纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在Si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌相似,纳米线面密度不同。利用X射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构,结果显示纳米线具有闪锌矿结构,生长方向〈111〉,并且具有层状孪晶结构。与InP体材料相比,纳米线的光致发光峰位蓝移,半峰全宽增大,拉曼散射TO和LO峰向低波数频移,频移随激发光功率减弱而减小。 |
收录类别 | EI |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23604 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪国庆,张立功,宋航,等. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质[J]. 发光学报,2010,31(5):767-06. |
APA | 缪国庆.,张立功.,宋航.,蒋红.,黎大兵.,...&孙晓娟.(2010).Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质.发光学报,31(5),767-06. |
MLA | 缪国庆,et al."Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质".发光学报 31.5(2010):767-06. |
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