中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	一种改善蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法 (发明)
	李志明; 景玉梅; 叶如华; 李菊生
	2002-04-03
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于半导体技术领域，涉及一种对蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法的改进。首先在一次抽真空条件下先制备薄膜半导体器件的介质膜绝缘层，然后，在二次抽真空条件下采用溅射方法于蒸发半导体材料之前，首先在介质膜绝缘层上淀积一层“新鲜”的介质膜，再蒸发半导体材料，以保证薄膜半导体器件构造中介质膜和半导体膜界面上的“清洁”，减少……
资助项目	1343003
申请号	00126530.X
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11033
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	李志明,景玉梅,叶如华,等. 一种改善蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法 (发明)[P]. 2002-04-03.

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CN200200134300300000（168KB）			开放获取	--	浏览 下载

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