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1. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [2305]
2. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [2260]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [1292]
4. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1187]
5. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [1106]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [1078]
7. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [1024]
8. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [1018]
9. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [1016]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [988]
11. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [983]
12. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [975]
13. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [974]
14. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [956]
15. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [943]
16. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [900]
17. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [893]
18. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [889]
19. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [869]
20. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [862]
21. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [805]
22. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [803]
23. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [779]
24. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [776]
25. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [772]
26. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [767]
27. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [766]
28. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [762]
29. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [756]
30. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [747]
31. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [741]
32. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [720]
33. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [718]
34. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [717]
35. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [700]
36. Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characteriz.. [696]
37. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [660]
38. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [657]
39. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [656]
40. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [647]
41. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [589]
42. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [573]
43. Porous Carbon Networks Derived From Graphitic Carbon Nitride for E.. [504]
44. Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanosc.. [502]
45. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [317]

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1. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [1767]
2. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1677]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [571]
4. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [344]
5. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [336]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [306]
7. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [289]
8. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [282]
9. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [267]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [264]
11. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [262]
12. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [261]
13. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [253]
14. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [251]
15. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [244]
16. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [241]
17. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [235]
18. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [226]
19. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [215]
20. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [214]
21. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [210]
22. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [207]
23. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [201]
24. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [200]
25. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [191]
26. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [182]
27. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [177]
28. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [140]
29. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [138]
30. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [137]
31. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [129]
32. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [117]
33. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [111]
34. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [108]
35. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [100]
36. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [99]
37. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [86]
38. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [84]
39. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [80]
40. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [71]
41. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [63]
42. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [48]