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1. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [2252]
2. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [2206]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [1285]
4. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1184]
5. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [1105]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [1072]
7. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [1023]
8. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [1016]
9. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [1015]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [987]
11. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [980]
12. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [974]
13. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [973]
14. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [953]
15. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [938]
16. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [893]
17. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [892]
18. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [887]
19. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [864]
20. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [859]
21. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [802]
22. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [801]
23. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [777]
24. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [774]
25. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [770]
26. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [766]
27. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [764]
28. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [760]
29. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [751]
30. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [745]
31. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [740]
32. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [719]
33. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [716]
34. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [715]
35. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [699]
36. Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characteriz.. [693]
37. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [658]
38. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [653]
39. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [648]
40. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [646]
41. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [587]
42. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [571]
43. Porous Carbon Networks Derived From Graphitic Carbon Nitride for E.. [501]
44. Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanosc.. [499]
45. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [306]

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1. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [1714]
2. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1624]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [564]
4. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [339]
5. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [334]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [300]
7. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [288]
8. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [281]
9. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [266]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [263]
11. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [260]
12. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [259]
13. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [250]
14. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [245]
15. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [243]
16. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [236]
17. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [234]
18. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [223]
19. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [213]
20. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [207]
21. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [206]
22. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [205]
23. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [200]
24. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [195]
25. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [188]
26. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [181]
27. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [174]
28. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [137]
29. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [136]
30. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [130]
31. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [128]
32. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [116]
33. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [110]
34. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [106]
35. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [99]
36. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [98]
37. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [85]
38. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [83]
39. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [79]
40. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [70]
41. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [62]
42. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [47]