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1. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1798]
2. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [1783]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [1222]
4. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1149]
5. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [1039]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [1016]
7. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [983]
8. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [972]
9. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [948]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [947]
11. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [934]
12. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [932]
13. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [910]
14. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [907]
15. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [884]
16. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [861]
17. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [860]
18. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [846]
19. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [844]
20. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [801]
21. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [792]
22. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [774]
23. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [768]
24. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [763]
25. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [762]
26. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [746]
27. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [738]
28. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [735]
29. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [723]
30. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [721]
31. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [716]
32. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [705]
33. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [692]
34. Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characteriz.. [692]
35. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [680]
36. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [666]
37. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [655]
38. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [645]
39. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [617]
40. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [590]
41. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [575]
42. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [567]
43. Porous Carbon Networks Derived From Graphitic Carbon Nitride for E.. [501]
44. Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanosc.. [499]
45. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [288]

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1. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [1248]
2. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1216]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [505]
4. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [276]
5. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [266]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [244]
7. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [237]
8. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [228]
9. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [223]
10. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [215]
11. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [214]
12. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [203]
13. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [203]
14. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [202]
15. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [202]
16. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [196]
17. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [186]
18. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [182]
19. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [180]
20. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [171]
21. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [169]
22. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [169]
23. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [167]
24. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [161]
25. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [153]
26. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [149]
27. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [139]
28. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [125]
29. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [115]
30. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [111]
31. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [108]
32. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [108]
33. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [97]
34. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [94]
35. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [92]
36. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [81]
37. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [76]
38. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [73]
39. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [67]
40. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [62]
41. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [58]
42. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [46]