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1. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1754]
2. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [1717]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [1217]
4. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1145]
5. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [1032]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [1008]
7. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [979]
8. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [964]
9. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [943]
10. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [940]
11. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [932]
12. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [929]
13. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [904]
14. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [896]
15. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [879]
16. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [856]
17. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [856]
18. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [846]
19. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [821]
20. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [792]
21. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [783]
22. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [774]
23. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [768]
24. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [762]
25. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [760]
26. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [744]
27. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [737]
28. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [730]
29. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [717]
30. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [716]
31. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [716]
32. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [697]
33. Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characteriz.. [692]
34. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [689]
35. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [672]
36. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [663]
37. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [655]
38. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [645]
39. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [614]
40. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [578]
41. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [569]
42. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [567]
43. Porous Carbon Networks Derived From Graphitic Carbon Nitride for E.. [501]
44. Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanosc.. [499]
45. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [287]

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1. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [1182]
2. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1172]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [500]
4. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [258]
5. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [258]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [236]
7. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [229]
8. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [224]
9. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [219]
10. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [211]
11. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [208]
12. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [202]
13. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [198]
14. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [198]
15. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [197]
16. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [177]
17. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [177]
18. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [175]
19. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [173]
20. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [171]
21. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [166]
22. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [161]
23. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [161]
24. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [161]
25. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [149]
26. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [137]
27. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [131]
28. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [125]
29. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [115]
30. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [107]
31. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [106]
32. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [106]
33. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [97]
34. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [88]
35. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [87]
36. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [81]
37. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [76]
38. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [68]
39. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [67]
40. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [59]
41. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [58]
42. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [46]