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1. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1135]
2. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [1115]
3. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1095]
4. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [1020]
5. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [998]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [977]
7. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [972]
8. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [952]
9. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [934]
10. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [914]
11. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [911]
12. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [896]
13. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [881]
14. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [879]
15. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [856]
16. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [853]
17. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [842]
18. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [829]
19. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [800]
20. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [790]
21. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [771]
22. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [763]
23. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [760]
24. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [740]
25. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [740]
26. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [739]
27. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [727]
28. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [725]
29. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [711]
30. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [710]
31. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [696]
32. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [689]
33. Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characteriz.. [689]
34. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [686]
35. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [653]
36. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [650]
37. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [649]
38. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [645]
39. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [566]
40. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [566]
41. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [563]
42. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [526]
43. Porous Carbon Networks Derived From Graphitic Carbon Nitride for E.. [501]
44. Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanosc.. [497]
45. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [222]

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1. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [514]
2. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [465]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [406]
4. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [217]
5. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [217]
6. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [216]
7. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [210]
8. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [205]
9. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [199]
10. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [196]
11. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [189]
12. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [184]
13. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [184]
14. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [180]
15. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [169]
16. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [167]
17. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [160]
18. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [158]
19. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [154]
20. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [152]
21. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [146]
22. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [144]
23. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [140]
24. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [140]
25. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [139]
26. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [123]
27. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [119]
28. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [103]
29. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [102]
30. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [97]
31. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [92]
32. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [85]
33. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [85]
34. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [82]
35. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [79]
36. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [73]
37. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [63]
38. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [62]
39. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [58]
40. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [57]
41. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [56]
42. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [46]