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1. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1723]
2. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [1667]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [1191]
4. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1142]
5. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [1028]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [1004]
7. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [976]
8. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [959]
9. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [941]
10. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [924]
11. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [924]
12. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [913]
13. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [899]
14. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [890]
15. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [875]
16. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [854]
17. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [851]
18. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [838]
19. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [809]
20. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [791]
21. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [773]
22. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [766]
23. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [760]
24. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [752]
25. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [751]
26. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [741]
27. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [734]
28. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [727]
29. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [714]
30. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [714]
31. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [714]
32. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [695]
33. Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characteriz.. [692]
34. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [688]
35. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [666]
36. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [660]
37. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [653]
38. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [645]
39. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [594]
40. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [569]
41. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [566]
42. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [557]
43. Porous Carbon Networks Derived From Graphitic Carbon Nitride for E.. [501]
44. Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanosc.. [499]
45. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [262]

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1. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1141]
2. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [1132]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [474]
4. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [232]
5. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [231]
6. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [226]
7. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [224]
8. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [221]
9. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [217]
10. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [204]
11. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [194]
12. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [193]
13. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [193]
14. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [192]
15. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [191]
16. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [174]
17. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [173]
18. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [170]
19. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [169]
20. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [161]
21. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [158]
22. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [158]
23. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [155]
24. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [153]
25. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [146]
26. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [129]
27. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [123]
28. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [116]
29. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [104]
30. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [104]
31. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [103]
32. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [95]
33. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [93]
34. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [88]
35. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [85]
36. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [79]
37. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [75]
38. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [65]
39. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [65]
40. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [58]
41. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [57]
42. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [46]