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1. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [1929]
2. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1923]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [1247]
4. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1163]
5. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [1053]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [1029]
7. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [992]
8. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [982]
9. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [962]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [957]
11. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [945]
12. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [935]
13. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [929]
14. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [928]
15. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [896]
16. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [873]
17. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [869]
18. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [850]
19. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [850]
20. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [822]
21. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [792]
22. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [774]
23. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [773]
24. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [768]
25. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [762]
26. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [753]
27. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [743]
28. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [738]
29. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [731]
30. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [727]
31. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [723]
32. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [716]
33. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [700]
34. Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characteriz.. [692]
35. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [691]
36. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [674]
37. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [655]
38. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [645]
39. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [626]
40. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [604]
41. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [577]
42. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [567]
43. Porous Carbon Networks Derived From Graphitic Carbon Nitride for E.. [501]
44. Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanosc.. [499]
45. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [288]

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1. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [1392]
2. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1341]
3. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [530]
4. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [297]
5. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [280]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [257]
7. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [247]
8. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [237]
9. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [233]
10. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [229]
11. PbCrO4yellow-pigment nanorods-An efficient and stable visible-ligh.. [223]
12. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [222]
13. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [215]
14. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [214]
15. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [207]
16. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [205]
17. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [202]
18. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [194]
19. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [188]
20. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [180]
21. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [179]
22. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [175]
23. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [171]
24. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [167]
25. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [165]
26. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [163]
27. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [157]
28. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [125]
29. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [119]
30. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [115]
31. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [115]
32. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [108]
33. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [98]
34. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [97]
35. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 [96]
36. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [81]
37. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [81]
38. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [76]
39. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [70]
40. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [67]
41. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [58]
42. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [46]