Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯(英文) | |
祁建海; 陈洋; 岳圆圆; 吕炳辰; 程宇昂; 朱凤前; 贾玉萍; 李绍娟; 孙晓娟![]() ![]() | |
2023 | |
发表期刊 | 人工晶体学报
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卷号 | 52期号:11页码:1980-1988+2013 |
摘要 | 二维(2D)石墨烯具有原子层厚度,在电子器件中展示出突破摩尔定律限制的巨大潜力。目前,化学气相沉积(CVD)是一种广泛应用于石墨烯生长的方法,满足低成本、大面积生产和易于控制层数的需求。然而,由于催化金属(例如Cu)衬底一般为多晶特性,导致CVD法生长的石墨烯晶体质量相对较差。为此,通过高温退火工艺制备了Cu (111)单晶衬底,使石墨烯的初始成核过程得到了很好的控制,从而实现了厘米尺寸的高质量单晶石墨烯的制备。根据二者的晶格匹配关系,Cu (111)衬底为石墨烯生长提供了唯一的成核取向,相邻石墨烯成核岛的边界能够缝合到一起。单晶石墨烯具有高电导率,相较于原始多晶Cu上生长的石墨烯(1 415.7Ω·sq~(-1)),其平均薄层电阻低至607.5Ω·sq~(-1)。高温退火能够清洁铜箔,从而获得表面粗糙度较低的洁净石墨烯。将石墨烯用于场效应晶体管(FET),器件的最大开关比为145.5,载流子迁移率为2.31×10~3 cm~2·V~(-1)·s~(-1)。基于以上结果,相信本工作中的单晶石墨烯还满足其他高性能电子器件的制备。 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/68347 |
专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
作者单位 | 1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,发光及应用国家重点实验室 2.中国科学院大学,材料科学与光电工程中心 3.吉林财经大学管理科学与信息工程学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 祁建海,陈洋,岳圆圆,等. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯(英文)[J]. 人工晶体学报,2023,52(11):1980-1988+2013. |
APA | 祁建海.,陈洋.,岳圆圆.,吕炳辰.,程宇昂.,...&黎大兵.(2023).高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯(英文).人工晶体学报,52(11),1980-1988+2013. |
MLA | 祁建海,et al."高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯(英文)".人工晶体学报 52.11(2023):1980-1988+2013. |
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高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘(3073KB) | 期刊论文 | 出版稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 |
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