高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文）

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	高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文）
	祁建海 ; 陈洋 ; 岳圆圆 ; 吕炳辰 ; 程宇昂 ; 朱凤前 ; 贾玉萍 ; 李绍娟 ; 孙晓娟; 黎大兵
	2023
发表期刊	人工晶体学报
卷号	52 期号:11 页码:1980-1988+2013
摘要	二维(2D)石墨烯具有原子层厚度，在电子器件中展示出突破摩尔定律限制的巨大潜力。目前，化学气相沉积(CVD)是一种广泛应用于石墨烯生长的方法，满足低成本、大面积生产和易于控制层数的需求。然而，由于催化金属(例如Cu)衬底一般为多晶特性，导致CVD法生长的石墨烯晶体质量相对较差。为此，通过高温退火工艺制备了Cu (111)单晶衬底，使石墨烯的初始成核过程得到了很好的控制，从而实现了厘米尺寸的高质量单晶石墨烯的制备。根据二者的晶格匹配关系，Cu (111)衬底为石墨烯生长提供了唯一的成核取向，相邻石墨烯成核岛的边界能够缝合到一起。单晶石墨烯具有高电导率，相较于原始多晶Cu上生长的石墨烯(1 415.7Ω·sq~(-1)),其平均薄层电阻低至607.5Ω·sq~(-1)。高温退火能够清洁铜箔，从而获得表面粗糙度较低的洁净石墨烯。将石墨烯用于场效应晶体管(FET),器件的最大开关比为145.5,载流子迁移率为2.31×10~3 cm~2·V~(-1)·s~(-1)。基于以上结果，相信本工作中的单晶石墨烯还满足其他高性能电子器件的制备。
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/68347
专题	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
作者单位	1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,发光及应用国家重点实验室 2.中国科学院大学,材料科学与光电工程中心 3.吉林财经大学管理科学与信息工程学院
推荐引用方式 GB/T 7714	祁建海,陈洋,岳圆圆,等. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文）[J]. 人工晶体学报,2023,52(11):1980-1988+2013.
APA	祁建海.,陈洋.,岳圆圆.,吕炳辰.,程宇昂.,...&黎大兵.(2023).高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文）.人工晶体学报,52(11),1980-1988+2013.
MLA	祁建海,et al."高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文）".人工晶体学报 52.11(2023):1980-1988+2013.

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高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘（3073KB）	期刊论文	出版稿	开放获取	CC BY-NC-SA	浏览下载