Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 | |
孙晓娟 ; 宋航
| |
| 2008-10-01 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| 期号 | 5 |
| 摘要 | 利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列,通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征,并对此微尖阵列进行了场发射性能测试。结果表明,选择液相外延法制备的GaAs微尖呈金字塔状,两对面夹角为71°;微尖高度由生长窗口的尺寸决定,对底边为60μm的微尖,其高度约为42μm。此微尖阵列排列规则,具有场发射特性,开启电场约为5.1V/μm。发射电流稳定,当电场由8.0V/μm增加到11.9V/μm,发射电流由6μA增到74μA,在发射时间超过3h的情况下,电流波动不超过3%。另外,GaAs微尖阵列场发射的F-N曲线不为直线,分析表明是表面态和场渗透共同作用的结果。这对GaAs微尖阵列在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的意义。 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21358 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙晓娟,宋航. GaAs微尖阵列的制备与场发射性能[J]. 发光学报,2008(5). |
| APA | 孙晓娟,&宋航.(2008).GaAs微尖阵列的制备与场发射性能.发光学报(5). |
| MLA | 孙晓娟,et al."GaAs微尖阵列的制备与场发射性能".发光学报 .5(2008). |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| GaAs微尖阵列的制备与场发射性能.ca（263KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
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