CIOMP OpenIR
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件
贲建伟; 孙晓娟; 蒋科; 陈洋; 石芝铭; 臧行; 张山丽; 黎大兵; 吕威
2020-11-15
发表期刊人工晶体学报
卷号49期号:11页码:2046-2067
摘要AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料。经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展。以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展。在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展。
关键词AlGaN基材料 外延生长 掺杂 紫外发光器件 紫外探测
URL查看原文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/63982
专题中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
作者单位1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
2.中国科学院大学材料与光电研究中心
3.长春工业大学
推荐引用方式
GB/T 7714
贲建伟,孙晓娟,蒋科,等. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件[J]. 人工晶体学报,2020,49(11):2046-2067.
APA 贲建伟.,孙晓娟.,蒋科.,陈洋.,石芝铭.,...&吕威.(2020).AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件.人工晶体学报,49(11),2046-2067.
MLA 贲建伟,et al."AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件".人工晶体学报 49.11(2020):2046-2067.
条目包含的文件 下载所有文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件.(4280KB)期刊论文出版稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 下载
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[贲建伟]的文章
[孙晓娟]的文章
[蒋科]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[贲建伟]的文章
[孙晓娟]的文章
[蒋科]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[贲建伟]的文章
[孙晓娟]的文章
[蒋科]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。