中文版 | English

个人主页

关键词云

成果统计

合作作者[TOP 5]

访问统计


  总访问量
 19965
  访问来源
    内部： 0
    外部： 19965
    国内： 19290
    国外： 675

  年访问量
 2277
  访问来源
    内部： 0
    外部： 2277
    国内： 2262
    国外： 15

  月访问量
 2277
  访问来源
    内部： 0
    外部： 2277
    国内： 2262
    国外： 15

访问量

访问量

1. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1703]
2. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [1646]
3. 大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 [1423]
4. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [1180]
5. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1141]
6. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [1026]
7. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [1002]
8. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [975]
9. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [958]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [939]
11. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [924]
12. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [922]
13. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [905]
14. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [899]
15. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [889]
16. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [874]
17. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [854]
18. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [851]
19. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [834]
20. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [807]
21. Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured… [804]
22. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [790]
23. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [772]
24. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [765]
25. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [760]
26. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [750]
27. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [748]
28. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [740]
29. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [734]
30. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [727]
31. Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset… [724]
32. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [713]
33. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [713]
34. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [713]
35. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [693]
36. Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characteriz.. [692]
37. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [687]
38. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [665]
39. 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究 [663]
40. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [658]
41. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [653]
42. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [645]
43. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [566]
44. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [549]
45. Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanosc.. [499]
46. Fault diagnosis of satellite actuator based on bias-separated theo.. [460]
47. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [254]

下载量

1. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [1121]
2. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [1111]
3. 大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 [955]
4. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [463]
5. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [230]
6. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [223]
7. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [223]
8. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [223]
9. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [220]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [215]
11. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [202]
12. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [193]
13. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [193]
14. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [192]
15. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [192]
16. Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset… [175]
17. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [172]
18. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [172]
19. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [169]
20. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [168]
21. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [159]
22. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [157]
23. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [156]
24. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [154]
25. Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured… [153]
26. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [149]
27. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [145]
28. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [127]
29. 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究 [125]
30. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [122]
31. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [108]
32. Fault diagnosis of satellite actuator based on bias-separated theo.. [106]
33. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [104]
34. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [104]
35. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [102]
36. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [94]
37. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [85]
38. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [84]
39. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [79]
40. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [74]
41. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [65]
42. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [65]
43. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [57]
44. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [57]
45. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [46]