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1. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [983]
2. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [929]
3. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [896]
4. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [893]
5. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [875]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [856]
7. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [836]
8. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [825]
9. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [821]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [807]
11. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [801]
12. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [797]
13. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [778]
14. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [767]
15. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [764]
16. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [749]
17. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [723]
18. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [723]
19. Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured… [710]
20. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [700]
21. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [661]
22. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [654]
23. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [653]
24. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [649]
25. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [643]
26. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [641]
27. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [639]
28. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [637]
29. Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characteriz.. [633]
30. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [630]
31. Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset… [624]
32. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [616]
33. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [616]
34. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [613]
35. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [589]
36. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [583]
37. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [576]
38. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [575]
39. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [556]
40. 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究 [553]
41. 大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 [521]
42. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [463]
43. Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanosc.. [433]
44. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [428]
45. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [416]
46. Fault diagnosis of satellite actuator based on bias-separated theo.. [387]
47. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [85]

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1. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 [355]
2. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [207]
3. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [205]
4. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [202]
5. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [197]
6. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [181]
7. Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum .. [177]
8. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [175]
9. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [173]
10. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [173]
11. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [169]
12. Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent s.. [169]
13. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [164]
14. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [161]
15. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [153]
16. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [149]
17. Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured… [137]
18. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [137]
19. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [136]
20. Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Las.. [130]
21. Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset… [129]
22. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [128]
23. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [124]
24. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [123]
25. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [120]
26. 大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 [119]
27. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [115]
28. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [108]
29. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [98]
30. Fault diagnosis of satellite actuator based on bias-separated theo.. [97]
31. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [95]
32. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [86]
33. AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 [86]
34. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [84]
35. 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究 [79]
36. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [77]
37. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [74]
38. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [69]
39. 量子随机数高斯噪声信号发生器 [63]
40. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [59]
41. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [58]
42. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [49]
43. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [48]
44. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [34]
45. 高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文） [29]