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1. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [1123]
2. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [959]
3. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [878]
4. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [863]
5. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [822]
6. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [813]
7. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [777]
8. 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置 (发明) [755]
9. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [734]
10. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [719]
11. 一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置 (发明) [695]
12. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [674]
13. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [667]
14. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [644]
15. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [635]
16. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [630]
17. ZnO/ZnFe_2O_4复合纳米粒子的制备及其特性研究 [619]
18. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [593]
19. 以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备Mg_xZn_(1-x)O纳米纤维及其光.. [592]
20. 扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展 [581]
21. 扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究 [493]
22. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [477]
23. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [462]
24. 高质量氧化锌薄膜的制备及其p型掺杂研究 [460]
25. PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文） [442]
26. Epitaxial (110)-oriented cubic MgZnO films on m-plane sapphire for.. [342]
27. p-type doping of ZnO:N thin fims by alternating the growth atmosph.. [321]
28. Smooth surface morphology of ZnO thin films on sapphire at low tem.. [302]

下载量

1. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [263]
2. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [232]
3. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [229]
4. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [188]
5. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [173]
6. ZnO/ZnFe_2O_4复合纳米粒子的制备及其特性研究 [169]
7. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [168]
8. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [164]
9. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [158]
10. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [152]
11. 扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究 [149]
12. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [148]
13. 以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备Mg_xZn_(1-x)O纳米纤维及其光.. [138]
14. 扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展 [136]
15. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [133]
16. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [129]
17. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [124]
18. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [111]
19. PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文） [103]
20. 一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置 (发明) [99]
21. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [95]
22. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [77]
23. 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置 (发明) [62]
24. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [57]