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1. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [1063]
2. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [936]
3. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [857]
4. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [826]
5. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [814]
6. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [773]
7. 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置 (发明) [761]
8. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [757]
9. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [732]
10. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [715]
11. 一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置 (发明) [690]
12. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [668]
13. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [666]
14. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [642]
15. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [637]
16. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [633]
17. ZnO/ZnFe_2O_4复合纳米粒子的制备及其特性研究 [616]
18. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [592]
19. 以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备Mg_xZn_(1-x)O纳米纤维及其光.. [589]
20. 扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展 [575]
21. 扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究 [486]
22. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [475]
23. 高质量氧化锌薄膜的制备及其p型掺杂研究 [459]
24. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [457]
25. PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响(英文) [437]
26. Epitaxial (110)-oriented cubic MgZnO films on m-plane sapphire for.. [336]
27. p-type doping of ZnO:N thin fims by alternating the growth atmosph.. [320]
28. Smooth surface morphology of ZnO thin films on sapphire at low tem.. [301]

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1. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 [263]
2. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高 [239]
3. 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应 [235]
4. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic.. [185]
5. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [171]
6. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 [168]
7. ZnO/ZnFe_2O_4复合纳米粒子的制备及其特性研究 [168]
8. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长 [158]
9. 低温外延生长平整ZnO薄膜 [157]
10. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 [152]
11. Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector base.. [150]
12. 扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究 [148]
13. 以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备Mg_xZn_(1-x)O纳米纤维及其光.. [138]
14. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors.. [134]
15. 扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展 [134]
16. Ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO p-i-n homojunction .. [133]
17. m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文.. [123]
18. Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO [112]
19. PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响(英文) [104]
20. 一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置 (发明) [99]
21. Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of Zn.. [95]
22. Effect of boron on nitrogen doped p-type ZnO thin films [75]
23. 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置 (发明) [59]
24. Controlled growth of pure cubic Mg0.3Zn0.7O thin films on c-plane .. [56]