扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展

	扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展
	陈芳; 魏志鹏; 刘国军; 唐吉龙; 房丹; 方铉; 高娴; 赵海峰; 王双鹏
	2014-12-10
发表期刊	材料导报
期号	23 页码:28-33
摘要	半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景。半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因此扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域有着无可替代的地位。扫描近场光学显微技术突破了传统光学显微技术的衍射分辨率极限的限制,具有超高空间分辨率、超高探测灵敏度等特点,并且是一种非接触性探测,具有无损伤性。简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理及在半导体材料研究中的应用,包括量子阱结构中的位错及缺陷的表征,半导体器件的表面复合速率及扩散长度的纳米表征,以及半导体薄膜中的缺陷分布的检测。探讨了目前相关研究领域存在的主要问题,并对其发展趋势和前景进行了展望。
关键词	扫描近场光学显微技术半导体材料超高空间高分辨率
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43110
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	陈芳,魏志鹏,刘国军,等. 扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展[J]. 材料导报,2014(23):28-33.
APA	陈芳.,魏志鹏.,刘国军.,唐吉龙.,房丹.,...&王双鹏.(2014).扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展.材料导报(23),28-33.
MLA	陈芳,et al."扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展".材料导报 .23(2014):28-33.

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