中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置 (发明)
	单崇新; 鞠振刚; 倪佩楠; 李炳辉; 王双鹏; 申德振
	2012-01-11
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	复合模式生长半导体薄膜的方法及装置，涉及半导体材料生长技术及设备制造领域。解决现有技术制备方法制备的薄膜结晶质量差、生产速率慢的问题。通入ＡＬＤ反应前驱体Ａ在衬底表面形成单原子层；再通入ＡＬＤ反应前驱体Ｂ与ＡＬＤ反应前驱体Ａ反应，形成单层Ａ－Ｂ薄膜；重复以上步骤形成多层的－Ａ－Ｂ－Ａ－Ｂ－Ａ－Ｂ－薄膜；然后同时通入ＭＯ……
资助项目	102312217A
申请号	201110262400.6
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12020
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	单崇新,鞠振刚,倪佩楠,等. 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置 (发明)[P]. 2012-01-11.

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CN201210231221700000（837KB）			开放获取	--	浏览 下载

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