PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）

	PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）
	陈芳; 方铉; 王双鹏; 牛守柱; 方芳; 房丹; 唐吉龙; 王晓华; 刘国军; 魏志鹏
	2016-04-25
发表期刊	红外与激光工程
期号	4 页码:219-222
摘要	研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的Al N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA,在300℃、350℃和370℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的Al N层,并讨论了Al N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明,在300~370℃范围内,随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加,而薄膜表面粗糙度减小。
关键词	氮化铝等离子增强原子层沉积生长速率结晶化表面粗糙度沉积温度
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57700
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	陈芳,方铉,王双鹏,等. PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）[J]. 红外与激光工程,2016(4):219-222.
APA	陈芳.,方铉.,王双鹏.,牛守柱.,方芳.,...&魏志鹏.(2016).PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）.红外与激光工程(4),219-222.
MLA	陈芳,et al."PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）".红外与激光工程 .4(2016):219-222.