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1. AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 [1008]
2. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [971]
3. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [924]
4. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [895]
5. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [870]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [850]
7. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [832]
8. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [817]
9. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [816]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [802]
11. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [796]
12. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [787]
13. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [760]
14. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [756]
15. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [746]
16. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [722]
17. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [717]
18. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [700]
19. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [655]
20. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [653]
21. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [652]
22. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [644]
23. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [639]
24. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [635]
25. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [632]
26. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [628]
27. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [615]
28. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [612]
29. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [584]
30. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [579]
31. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [577]
32. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [552]
33. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [460]

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1. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [206]
2. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [205]
3. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [201]
4. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [200]
5. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [181]
6. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [175]
7. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [172]
8. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [172]
9. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [167]
10. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [163]
11. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [157]
12. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [156]
13. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [148]
14. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [140]
15. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [134]
16. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [128]
17. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [124]
18. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [122]
19. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [119]
20. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [108]
21. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [97]
22. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [95]
23. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [85]
24. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [80]
25. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [77]
26. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [71]
27. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [69]
28. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [58]
29. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [58]
30. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [49]
31. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [47]
32. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [36]
33. AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 [1]