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1. AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 [1223]
2. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1175]
3. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [1079]
4. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [1046]
5. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [1003]
6. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [1000]
7. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [967]
8. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [956]
9. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [950]
10. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [949]
11. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [937]
12. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [913]
13. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [884]
14. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [878]
15. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [869]
16. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [852]
17. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [842]
18. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [792]
19. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [781]
20. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [774]
21. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [768]
22. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [765]
23. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [762]
24. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [752]
25. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [743]
26. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [742]
27. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [739]
28. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [737]
29. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [707]
30. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [684]
31. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [655]
32. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [645]
33. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [567]

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1. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [317]
2. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [274]
3. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [265]
4. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [255]
5. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [248]
6. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [243]
7. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [243]
8. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [228]
9. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [226]
10. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [225]
11. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [221]
12. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [211]
13. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [207]
14. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [198]
15. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [186]
16. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [186]
17. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [179]
18. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [177]
19. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [171]
20. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [167]
21. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [128]
22. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [127]
23. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [109]
24. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [108]
25. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [97]
26. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [90]
27. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [81]
28. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [77]
29. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [76]
30. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [67]
31. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [58]
32. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [46]
33. AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 [1]