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1. AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 [902]
2. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [724]
3. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [708]
4. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [701]
5. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [667]
6. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [660]
7. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [642]
8. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [637]
9. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [635]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [626]
11. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [607]
12. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [588]
13. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [588]
14. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [588]
15. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [558]
16. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [545]
17. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [533]
18. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [527]
19. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [517]
20. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [506]
21. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [500]
22. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [490]
23. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [487]
24. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [484]
25. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [478]
26. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [472]
27. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [461]
28. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [458]
29. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [456]
30. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [442]
31. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [420]
32. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [404]
33. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [361]

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1. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [185]
2. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [181]
3. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [173]
4. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [152]
5. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [148]
6. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [145]
7. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [137]
8. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [134]
9. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [131]
10. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [125]
11. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [119]
12. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [119]
13. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [115]
14. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [113]
15. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [107]
16. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [105]
17. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [104]
18. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [96]
19. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [95]
20. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [83]
21. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [77]
22. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [77]
23. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [69]
24. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [66]
25. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [60]
26. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [58]
27. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [56]
28. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [45]
29. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [41]
30. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [40]
31. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [39]
32. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [33]
33. AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 [1]