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1. AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 [1021]
2. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [988]
3. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [929]
4. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [899]
5. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [876]
6. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [858]
7. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [839]
8. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [826]
9. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [821]
10. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [807]
11. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [803]
12. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [781]
13. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [768]
14. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [764]
15. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [749]
16. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [724]
17. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [723]
18. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [703]
19. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [662]
20. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [656]
21. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [655]
22. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [650]
23. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [644]
24. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [643]
25. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [642]
26. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [638]
27. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [617]
28. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [617]
29. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [591]
30. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [584]
31. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [577]
32. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [557]
33. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [465]

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1. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [207]
2. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [206]
3. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [202]
4. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [197]
5. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [181]
6. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [175]
7. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [173]
8. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [173]
9. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [171]
10. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [164]
11. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [161]
12. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [153]
13. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [149]
14. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [137]
15. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [136]
16. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [128]
17. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [124]
18. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [123]
19. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [120]
20. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [108]
21. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [99]
22. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [95]
23. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [88]
24. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [85]
25. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [77]
26. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [75]
27. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [69]
28. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [59]
29. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [58]
30. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [49]
31. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [48]
32. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [34]
33. AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 [1]