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| 离子束溅射制备低应力深紫外光学薄膜 期刊论文 中国光学, 2016, 期号: 6, 页码: 649-655 作者: 才玺坤 ; 张立超 ; 时光 ; 贺健康 ; 武潇野 ; 梅林![](/image/person.jpg)
caj(317Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:377/147  |  提交时间:2017/09/17 离子束溅射 应力 光学特性 膜厚均匀性 |
| 光子计数成像探测器电荷感应层Ge薄膜特性研究 期刊论文 长春理工大学学报(自然科学版), 2016, 期号: 4, 页码: 38-41 作者: 郑鑫 ; 陈波 ; 王孝东 ; 张宏吉 ; 李云鹏; 于再超
caj(1170Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:359/124  |  提交时间:2017/09/17 Ge薄膜 直流磁控溅射 Ar气通入量 沉积速率 电学性质 |
| 2m大口径RB-SiC反射镜的磁控溅射改性 期刊论文 光学精密工程, 2016, 期号: 7, 页码: 1557-1563 作者: 刘震 ; 高劲松 ; 刘海 ; 王笑夷 ; 王彤彤![](/image/person.jpg)
caj(893Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:512/120  |  提交时间:2017/09/17 光学加工 磁控溅射 表面改性 Rb-sic 大口径 |
| 离子束溅射制备GdF_3光学薄膜沉积速率分布特性 期刊论文 中国光学, 2016, 期号: 3, 页码: 356-363 作者: 贺健康 ; 张立超 ; 才玺坤 ; 时光 ; 武潇野 ; 梅林![](/image/person.jpg)
caj(320Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:314/86  |  提交时间:2017/09/17 离子束溅射 光学薄膜 沉积速率 二维拟合 膜厚均匀性 |
| 大口径反射镜高反射膜研究进展 期刊论文 中国光学, 2016, 期号: 2, 页码: 203-212 作者: 孙梦至; 王彤彤 ; 王延超; 刘震 ; 刘海 ; 王笑夷 ; 杨海贵 ; 高劲松![](/image/person.jpg)
caj(351Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:387/83  |  提交时间:2017/09/17 大口径 反射镜 高反射膜 环境适应性 |
| 极紫外光刻照明系统宽带Mo/Si多层膜设计与制备 期刊论文 中国激光, 2016, 期号: 4, 页码: 160-166 作者: 喻波 ; 李春 ; 金春水 ; 王春忠
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:254/0  |  提交时间:2017/09/17 薄膜 极紫外光刻 宽带多层膜 Mo/si多层膜 |
| Miniaturized VCSEL pulsed laser source with high peak power at 980 nm 期刊论文 Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2016, 卷号: 35, 期号: 5 作者: Gao, S. J.; X. Zhang; J. W. Zhang; J. Zhang; Y. Q. Ning; J. Wu; L. Qin; C. Z. Tong and L. J. Wang
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| Surface modification of 2 m RB-SiC substrate by magnetron sputtering 期刊论文 Guangxue Jingmi Gongcheng/Optics and Precision Engineering, 2016, 卷号: 24, 期号: 7 作者: Liu, Z. ; J.-S. Gao; H. Liu; X.-Y. Wang and T.-T. Wang
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| Sub-nanometer precision optical fabrication of CaF2materials 期刊论文 Guangxue Jingmi Gongcheng/Optics and Precision Engineering, 2016, 卷号: 24, 期号: 11 作者: Zhang, C.-L. ; L. Xu; J. Liu; Z.-L. Ma; F. Wang; Y.-Q. Gu; L. Dai and S.-J. Peng
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| Design and fabrication of broadband Mo/Si multilayer films for extreme ultra violet lithography illumination system 期刊论文 Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2016, 卷号: 43, 期号: 4 作者: Yu, B. ; C. Li; C. Jin and C. Wang
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