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Review of ultraviolet photodetectors based on micro/nano-structured wide bandgap semiconductor oxide 期刊论文
Chinese Optics, 2022, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 912-928
作者:  X. Chen;  C. Zhou;  K.-W. Liu and D.-Z. Shen
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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
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Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide  
点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16, 页码: 76-90
作者:  谢修华;  李炳辉;  张振中;  刘雷;  刘可为;  单崇新;  申德振
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宽禁带  点缺陷  掺杂  离化能  
用计算全息图检测非球面时的自补偿效应分析 期刊论文
光学学报, 2015, 期号: 11, 页码: 126-131
作者:  高松涛;  武东城;  彭石军;  苏东奇;  苗二龙
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全息  计算全息图(Cgh)  非球面检测  自补偿效应  
Optical Properties Investigation of p-Type ZnO Film Based on Doping by Diffusion 期刊论文
Spectroscopy and Spectral Analysis, 2015, 卷号: 35, 期号: 7
作者:  F. Chen;  D. Fang;  S. P. Wang;  X. Fang;  J. L. Tang;  H. F. Zhao;  F. Fang;  X. Y. Chu;  J. H. Li;  F. Wang;  X. H. Wang;  G. J. Liu;  X. H. Ma and Z. P. Wei
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Ag表面等离子体四极子增强型MgZnO紫外探测器的设计制备及其特性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  陈洪宇
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稳定的锂氮共掺杂p型氧化锌及其光电器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  申赫
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氧化锌纳米结构新型紫外光电器件的研制 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  王飞
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氮掺杂p型ZnO薄膜制备及相关问题研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者:  赵鹏程
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Zno薄膜  P型掺杂  分子束外延  间歇性补氧  B-n共掺