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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Review of ultraviolet photodetectors based on micro/nano-structured wide bandgap semiconductor oxide
期刊论文
Chinese Optics, 2022, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 912-928
作者:
X. Chen
;
C. Zhou
;
K.-W. Liu and D.-Z. Shen
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提交时间:2023/06/14
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件
期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:
贲建伟
;
孙晓娟
;
蒋科
;
陈洋
;
石芝铭
;
臧行
;
张山丽
;
黎大兵
;
吕威
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提交时间:2021/07/06
AlGaN基材料
外延生长
掺杂
紫外发光器件
紫外探测
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development
期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:
X.-H.Xie
;
B.-H.Li
;
Z.-Z.Zhang
;
L.Liu
;
K.-W.Liu
;
C.-X.Shan
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提交时间:2020/08/24
Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide
点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战
期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16, 页码: 76-90
作者:
谢修华
;
李炳辉
;
张振中
;
刘雷
;
刘可为
;
单崇新
;
申德振
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提交时间:2020/08/24
宽禁带
点缺陷
掺杂
离化能
用计算全息图检测非球面时的自补偿效应分析
期刊论文
光学学报, 2015, 期号: 11, 页码: 126-131
作者:
高松涛
;
武东城
;
彭石军
;
苏东奇
;
苗二龙
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提交时间:2016/07/06
全息
计算全息图(Cgh)
非球面检测
自补偿效应
Optical Properties Investigation of p-Type ZnO Film Based on Doping by Diffusion
期刊论文
Spectroscopy and Spectral Analysis, 2015, 卷号: 35, 期号: 7
作者:
F. Chen
;
D. Fang
;
S. P. Wang
;
X. Fang
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J. L. Tang
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H. F. Zhao
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F. Fang
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X. Y. Chu
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J. H. Li
;
F. Wang
;
X. H. Wang
;
G. J. Liu
;
X. H. Ma and Z. P. Wei
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提交时间:2016/08/04
Ag表面等离子体四极子增强型MgZnO紫外探测器的设计制备及其特性研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
陈洪宇
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提交时间:2014/08/21
稳定的锂氮共掺杂p型氧化锌及其光电器件研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
申赫
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提交时间:2014/08/21
氧化锌纳米结构新型紫外光电器件的研制
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
王飞
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提交时间:2014/08/21
氮掺杂p型ZnO薄膜制备及相关问题研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者:
赵鹏程
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提交时间:2014/03/15
Zno薄膜
P型掺杂
分子束外延
间歇性补氧
B-n共掺