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Brief Review of Development and Techniques for High Power Semiconductor Lasers 期刊论文
Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2021, 卷号: 41, 期号: 1
作者:  Y. Ning;  Y. Chen;  J. Zhang;  Y. Song;  Y. Lei;  C. Qiu;  L. Liang;  P. Jia;  L. Qin and L. Wang
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2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀) 期刊论文
红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 196-200
作者:  李翔;  汪宏;  乔忠良;  张宇;  牛智川;  佟存柱;  刘重阳
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半导体锁模激光器  重复频率  GaSb基材料  2μm波段  
超景深鬼像仿真分析方法研究 期刊论文
红外, 2020, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: 27-32
作者:  刘韬;  汪向阳;  余毅;  刘震宇;  何锋赟;  李周
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超景深鬼像  Code Ⅴ  LightTools  仿真分析  
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
大功率半导体激光器发展及相关技术概述 期刊论文
光学学报, 2020, 卷号: 41, 期号: 01, 页码: 191-200
作者:  宁永强;  陈泳屹;  张俊;  宋悦;  雷宇鑫;  邱橙;  梁磊;  贾鹏;  秦莉;  王立军
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激光器  半导体激光器  大功率  芯片技术  合束技术  
Repetition frequency variation of a 2 m GaSb-based passively mode-locked laser Invited 期刊论文
Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 5
作者:  X. Li,H. Wang,Z. Qiao,Y. Zhang,Z. Niu,C. Tong and C. Liu
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N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 期刊论文
发光学报, 2019, 卷号: 40, 期号: 08, 页码: 956-960
作者:  赵鹏程;  张振中;  姚斌;  李炳辉;  李贤丽
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分子束外延  MgZnO薄膜  光电性质  
Investigation on ideality factor of 2 μm InGaSb/AlGaAsSb quantum well laser 期刊论文
Infrared and Laser Engineering, 2018, 卷号: 47, 期号: 5
作者:  Li Xiang;  Wang Hong;  Qiao Zhongliang;  Zhang Yu;  Xu Yingqiang;  Niu Zhichuan;  Tong Cunzhu;  Liu Chongyang
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Gallium compounds  Antimony compounds  III-V semiconductors  Indium antimonides  Quantum well lasers  Semiconductor lasers  Semiconductor quantum wells  
基于高阶共振模式的金属表面等离子体增强型ZnO紫外探测器的制备和研究 学位论文
博士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  王潇
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ZnMgO  表面等离极化激元  MBE  波长选择性  日盲探测器  
退火对MBE生长GaAs_(0.91)Sb_(0.09)晶体质量和发光特性影响研究 期刊论文
中国科技论文, 2017, 页码: 2616-2620
作者:  贾慧民;  王彪;  高虹一;  王登魁;  唐吉龙;  冯源;  李洋;  李再金;  马晓辉
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Gaas0.91sb0.09  分子束外延  热退火  光致发光  局域态