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Mechanism of a-AlN Surface Morphology Evolution by High Temperature Annealing 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2021, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 810-817
作者:  J.-E. Sui;  J.-W. Ben;  H. Zang;  K. Jiang;  S.-L. Zhang;  B.-L. Guo;  Y. Chen;  Z.-M. Shi;  Y.-P. Jia;  D.-B. Li and X.-J. Sun
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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
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Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide  
基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  胡光冲
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Mgzno  深紫外  等离子体  Mocvd  
高性能氧化锌基发光器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  刘兴宇
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氧化锌基激光器件的设计、制备与特性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  倪佩楠
Adobe PDF(13527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：384/2  |  提交时间：2014/08/21
稳定的锂氮共掺杂p型氧化锌及其光电器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  申赫
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氧化锌纳米结构新型紫外光电器件的研制 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  王飞
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氮掺杂p型ZnO薄膜制备及相关问题研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者:  赵鹏程
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Zno薄膜  P型掺杂  分子束外延  间歇性补氧  B-n共掺  
氮掺杂p型ZnO相关问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  陈星佑
Adobe PDF(4142Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：292/1  |  提交时间：2013/03/01