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Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
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Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide  
点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16, 页码: 76-90
作者:  谢修华;  李炳辉;  张振中;  刘雷;  刘可为;  单崇新;  申德振
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宽禁带  点缺陷  掺杂  离化能  
单根氧化锌微米线基电致发光研究 学位论文
博士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  何高航
caj(8893Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：170/0  |  提交时间：2019/09/23
氧化锌微米线  光致发光(PL)  电致发光(EL)  发光二极管  
Au电极厚度对MgZnO紫外探测器性能的影响 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  孙华山
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Mgzno薄膜  紫外探测器  Au电极  厚度  
MgZnO异质结紫外光电探测器件的制备与内增益特性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  谢修华
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高性能氧化锌基发光器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  刘兴宇
Adobe PDF(7707Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：554/1  |  提交时间：2014/08/21
稳定的锂氮共掺杂p型氧化锌及其光电器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  申赫
Adobe PDF(4110Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：314/2  |  提交时间：2014/08/21
MgZnO薄膜掺杂及其紫外探测器研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  李超群
Adobe PDF(4451Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：372/1  |  提交时间：2014/08/21
氧化锌基材料、异质结构及光电器件 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 1, 页码: 1-60
作者:  申德振;  梅增霞;  梁会力;  杜小龙;  叶建东;  顾书林;  吴玉喜;  徐春祥;  朱刚毅;  戴俊;  陈明明;  季旭;  汤子康;  单崇新;  张宝林;  杜国同;  张振中
caj(31238Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：341/71  |  提交时间：2015/04/17
氧化锌  氧化镁锌  外延薄膜  表面/界面工程  紫外探测器  
氮掺杂p型ZnO相关问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  陈星佑
Adobe PDF(4142Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：292/1  |  提交时间：2013/03/01