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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Rapid inactivation of human respiratory RNA viruses by deep ultraviolet irradiation from light-emitting diodes on a high-temperature-annealed AlN/Sapphire template
期刊论文
Opto-Electronic Advances, 2023, 卷号: 6, 期号: 9
作者:
K. Jiang
;
S. Liang
;
X. Sun
;
J. Ben
;
L. Qu
;
S. Zhang
;
Y. Chen
;
Y. Zheng
;
K. Lan
;
D. Li and K. Xu
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提交时间:2024/07/03
Growth mechanism and electronic properties of stacking mismatch boundaries in wurtzite III-nitride material
期刊论文
Physical Review B, 2023, 卷号: 107, 期号: 16
作者:
H. Zang, Z. Shi, J. Ben, K. Jiang, Y. Chen, S. Zhang, M. Liu, T. Wu, Y. Jia, X. Sun and D. Li
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提交时间:2024/08/12
Revealing the Modulation Effects on the Electronic Band Structures and Exciton Properties by Stacking Graphene/h-BN/MoS2 Schottky Heterostructures
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2023, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 2468-2478
作者:
X. D. Zhu, J. B. He, W. M. Liu, Y. X. Zheng, C. X. Sheng, Y. Luo, S. J. Li, R. J. Zhang and J. H. Chu
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提交时间:2024/08/13
The stacking fault annihilation in a-plane AlN during high-temperature annealing
期刊论文
CrystEngComm, 2023, 卷号: 25, 期号: 13, 页码: 1903-1909
作者:
X. Sun, J. Sui, J. Ben, H. Zang, K. Jiang, S. Zhang, S. Lv, Z. Shi, T. Wu and D. Li
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提交时间:2024/07/25
Formation mechanism of trench defects in green InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2023, 卷号: 133, 期号: 12
作者:
Z. Shi, A. Tian, X. Sun, X. Li, H. Zang, X. Su, H. Lin, P. Xu, H. Yang, J. Liu and D. Li
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提交时间:2024/07/25
Nonradiative Dynamics Induced by Vacancies in Wide-Gap III-Nitrides: Ab Initio Time-Domain Analysis
期刊论文
Journal of Physical Chemistry Letters, 2023, 卷号: 14, 期号: 29, 页码: 6719-6725
作者:
Y. Yang, Z. Shi, S. Zhang, X. Ma, J. Bai, D. Fan, H. Zang, X. Sun and D. Li
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提交时间:2024/07/26
Optimized Selective-Area p-Type Diffusion for the Back-Illuminated Planar InGaAs/InP Avalanche Photodiodes by a Single Diffusion Process
期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2022, 卷号: 219, 期号: 2, 页码: 6
作者:
Y. R. Chen
;
Z. W. Zhang
;
G. Q. Miao
;
H. Jiang and H. Song
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提交时间:2022/06/13
The van der Waals Epitaxy of High-Quality N-Polar Gallium Nitride for High-Response Ultraviolet Photodetectors with Polarization Electric Field Modulation
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2022, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 11
作者:
Y. Chen
;
Z. M. Shi
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
K. Jiang
;
H. Zang
;
Y. P. Jia
;
W. Lu
;
D. B. Li and X. J. Sun
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提交时间:2022/06/13
Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
S. L. Zhang
;
Z. M. Shi
;
J. W. Ben
;
K. Jiang
;
Y. P. Jia
;
M. R. Liu
;
D. B. Li and X. J. Sun
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提交时间:2023/06/14
Recent Progress on AlGaN Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes below 250 nm
期刊论文
Crystals, 2022, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 23
作者:
C. Y. Zhang
;
K. Jiang
;
X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2023/06/14