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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Efficient and Stable Gd3Ga5O12:Cr3+ Phosphors for High-Performance NIR LEDs
期刊论文
Advanced Optical Materials, 2023, 卷号: 11, 期号: 21, 页码: 8
作者:
C. Jin
;
R. Y. Li
;
Y. F. Liu
;
L. L. Zhang
;
J. H. Zhang
;
P. Sun
;
Z. H. Luo and J. Jiang
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提交时间:2024/07/03
High-Performance Photodetector Based on Bi2Se3/GeSe Heterojunction with Band Alignment Evolution
期刊论文
Advanced Optical Materials, 2023, 页码: 8
作者:
Y. H. Li
;
M. Q. Che
;
N. Zhang
;
Y. T. Zou
;
X. Y. Zhao
;
Y. C. Lin
;
B. C. Lv
;
X. B. Ma
;
Y. R. Shi
;
J. J. Yang
;
X. J. Sun
;
S. J. Li and D. B. Li
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提交时间:2024/07/03
CBANet: An End-to-End Cross-Band 2-D Attention Network for Hyperspectral Change Detection in Remote Sensing
期刊论文
Ieee Transactions on Geoscience and Remote Sensing, 2023, 卷号: 61, 页码: 11
作者:
Y. H. Li
;
J. C. Ren
;
Y. J. Yan
;
Q. Y. Liu
;
P. Ma
;
A. Petrovski and H. J. Sun
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提交时间:2024/07/03
High-performance fully transparent Ga2O3 solar-blind UV photodetector with the embedded indium-tin-oxide electrodes
期刊论文
Materials Today Physics, 2023, 卷号: 33, 页码: 6
作者:
C. Zhang, K. W. Liu, Q. Ai, X. Sun, X. Chen, J. L. Yang, Y. X. Zhu, Z. Cheng, B. H. Li, L. Liu and D. Z. Shen
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提交时间:2024/08/12
Mechanistic understanding of the interfacial properties of metal–PtSe2 contacts
期刊论文
Nanoscale, 2023, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13252-13261
作者:
L. J. Qi, M. Q. Che, M. X. Liu, B. Wang, N. Zhang, Y. T. Zou, X. J. Sun, Z. M. Shi, D. B. Li and S. J. Li
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提交时间:2024/07/04
Structural and optoelectronic characteristics of β-Ga2O3 epitaxial films with Zn alloying and subsequent oxygen annealing
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2023, 卷号: 11, 期号: 9, 页码: 3227-3234
作者:
X. Sun, K. W. Liu, X. Chen, Q. C. Hou, Z. Cheng, J. L. Yang, Q. Ai, Y. X. Zhu, B. H. Li, L. Liu and D. Z. Shen
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提交时间:2024/07/25
Enhancement of crystalline quality and solar-blind photodetection characteristics of ε-Ga2O3 films by introducing Zn impurity
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2023, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 118-124
作者:
X. Sun, K. W. Liu, X. Chen, Y. X. Zhu, Z. Cheng, J. L. Yang, B. H. Li, L. Liu and D. Z. Shen
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提交时间:2024/07/25
GaN-Based Ultraviolet Phototransistor With Two Parallel Polarization-Doped Junctions and an Al0.20Ga0.80N Insertion Layer to Achieve Low Dark Current and High Detectivity
期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2023, 页码: 6
作者:
Z. Xuan, C. S. Chu, K. K. Tian, Z. J. Zhu, Z. W. Xie, K. Jiang, Y. H. Zhang, X. J. Sun, Z. H. Zhang and D. B. Li
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提交时间:2024/07/26
YSZ-based mixed potential type acetone gas sensor attached with CuSb2O6 sensing electrode for ketosis diagnosis
期刊论文
Sensors and Actuators B-Chemical, 2022, 卷号: 370, 页码: 10
作者:
S. Y. Lv
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J. L. Fan
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F. M. Liu
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Y. Y. Zhang
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S. H. Ouyang
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C. Zhang
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C. G. Wang
;
P. Sun
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L. J. Wang and G. Y. Lu
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提交时间:2023/06/14
Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
S. L. Zhang
;
Z. M. Shi
;
J. W. Ben
;
K. Jiang
;
Y. P. Jia
;
M. R. Liu
;
D. B. Li and X. J. Sun
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提交时间:2023/06/14