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Grain boundary-driven magnetism in aluminum nitride 期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 36951, 期号: 121, 页码: 24
作者:  Z. Shi;  H. Zang;  X. Ma;  Y. Yang;  K. Jiang;  Y. Chen;  Y. Jia;  X. Sun and D. Li
Adobe PDF(4811Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：56/38  |  提交时间：2023/06/14
Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:  K. Jiang;  X. J. Sun;  Y. X. Chen;  S. L. Zhang;  J. W. Ben;  Y. Chen;  Z. H. Zhang;  Y. P. Jia;  Z. M. Shi and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(3040Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：58/38  |  提交时间：2023/06/14
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(2009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：130/44  |  提交时间：2021/07/06
Synchronization of electrically coupled micromechanical oscillators with a frequency ratio of 3-1 期刊论文
Applied Physics Letters, 2018, 卷号: 112, 期号: 1, 页码: 4
作者:  Pu, D.;  Wei, X. Y.;  Xu, L.;  Jiang, Z. D.;  Huan, R. H.
浏览  |  Adobe PDF(2150Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：271/104  |  提交时间：2019/09/17
resonator  Physics  
Realization of unbiased photoresponse in amorphous InGaZnO ultraviolet detector via a hole-trapping process 期刊论文
Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 106, 期号: 17, 页码: 5
作者:  Jiang, D. L.;  L. Li;  H. Y. Chen;  H. Gao;  Q. Qiao;  Z. K. Xu and S. J. Jiao
浏览  |  Adobe PDF(1478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：331/58  |  提交时间：2016/07/15
Tunable enhancement of exciton emission from MgZnO by hybridized quadrupole plasmons in Ag nanoparticle aggregation 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 9, 页码: 4
作者:  Chen H. Y.;  Liu K. W.;  Jiang M. M.;  Zhang Z. Z.;  Xie X. H.;  Wang D. K.;  Liu L.;  Li B. H.;  Zhao D. X.;  Shan C. X.;  Shen D. Z.
浏览  |  Adobe PDF(1376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：357/92  |  提交时间：2015/04/24
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
浏览  |  Adobe PDF(1846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：359/98  |  提交时间：2015/04/24
Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 23
作者:  Xie X. H.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Wang S. P.;  Jiang M. M.;  Shan C. X.;  Zhao D. X.;  Chen H. Y.;  Shen D. Z.
Adobe PDF(1540Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：362/92  |  提交时间：2014/05/14
Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:  You K.;  Jiang H.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.;  Miao G. Q.;  Liu H. B.
Adobe PDF(897Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：671/105  |  提交时间：2012/10/21
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：449/107  |  提交时间：2012/10/21