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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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出处:Journal of Alloys and Compounds
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Speed enhancement of ultraviolet photodetector base on ZnO quantum dots by oxygen adsorption on surface defects
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2021, 卷号: 868
作者:
H. Ma
;
K. Liu
;
Z. Cheng
;
Z. Zheng
;
Y. Liu
;
P. Zhang
;
X. Chen
;
D. Liu
;
L. Liu and D. Shen
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提交时间:2022/06/13
A high-response ultraviolet photodetector by integrating GaN nanoparticles with graphene
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2021, 卷号: 868
作者:
Y. Chen
;
Y. Wu
;
J. Ben
;
K. Jiang
;
Y. Jia
;
S. Zhang
;
H. Zang
;
Z. Shi
;
B. Duan
;
X. Sun and D. Li
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提交时间:2022/06/13
Synthesis of Multilayer InSe0.82Te0.18 alloy for high performance near-infrared photodetector
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 815, 页码: 6
作者:
M. M. Yu,H. Li,F. Gao,Y. X. Hu,L. F. Wang,P. G. Hu and W. Feng
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提交时间:2021/07/06
Performance improvement of amorphous Ga 2 O 3 ultraviolet photodetector by annealing under oxygen atmosphere
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 840, 页码: 7
作者:
C. Q. Zhou,K. W. Liu,X. Chen,J. H. Feng,J. L. Yang,Z. Z. Zhang,L. Liu,Y. Xia and D. Z. Shen
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提交时间:2021/07/06
Effects of annealing temperature, thickness and substrates on optical properties of m-plane ZnO films studied by photoluminescence and temperature dependent ellipsometry
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 848, 页码: 10
作者:
Y. Liu,T. Y. He,D. H. Chen,H. Yang,I. T. Ferguson,D. Huang and Z. C. Feng
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Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 793, 页码: 599-603
作者:
X.K.Liu
;
K.L.Li
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
Z.H.Huang
;
Z.W.Li
;
L.Min
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提交时间:2020/08/24
Multilayer MoS2,Al2O3 surface,NH3 treatment,Band alignment,field-effect transistor,layer mos2,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Improved performance of a back-illuminated GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector by in-situ modification of one-dimensional ZnO nanorods on its screw dislocations
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 775, 页码: 1213-1220
作者:
Y.P.Chen
;
C.H.Zheng
;
L.Q.Hu
;
Y.R.Chen
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提交时间:2020/08/24
GaN-based ultroviolet photodetectors,ZnO nanorods modification,Screw,dislocation passivation,Photoelectric performance improvement
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
;
Miao, G. Q.
;
Song, H.
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提交时间:2019/09/17
Data storage materials
Resistive switching
Metal-insulator-semiconductor
Annealing effect
Nonvolatile memory
nonvolatile memory
behaviors
mechanism
breakdown
layer
power
ti
Chemistry
Materials Science
Metallurgy & Metallurgical Engineering
Synthesis of SnO2 nano-dodecahedrons with high-energy facets and their sensing properties to SO2 at low temperature
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: 723
作者:
Ma, X. H.
;
Q. X. Qin
;
N. Zhang
;
C. Chen
;
X. Liu
;
Y. Chen
;
C. N. Li and S. P. Ruan
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提交时间:2018/06/13
Recovering near-band-edge ultraviolet responses in a wide-bandgap oxide with dipole-forbidden bandgap transition
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: 649, 页码: 625-629
作者:
Deng, R.
;
Y. F. Li
;
B. Yao
;
Z. H. Ding
;
X. Fang
;
J. M. Qin
;
Z. P. Wei
;
Q. C. Liang and L. Liu
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提交时间:2016/07/15