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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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High-power and reliable GaN-based vertical light-emitting diodes on 4-inch silicon substrate
期刊论文
Optics Express, 2019, 卷号: 27, 期号: 20, 页码: A1506-A1516
作者:
S.J.Zhou
;
H.H.Xu
;
B.Tang
;
Y.C.Liu
;
H.Wan
;
J.H.Miao
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提交时间:2020/08/24
wall-plug efficiency,extraction efficiency,enhancement,titanium,contact,stress,layer,films,Optics
Anomalous Broadband Spectrum Photodetection in 2D Rhenium Disulfide Transistor
期刊论文
Advanced Optical Materials, 2019, 卷号: 7, 期号: 23, 页码: 9
作者:
D.Xiang
;
T.Liu
;
J.Y.Wang
;
P.Wang
;
L.Wang
;
Y.Zheng
;
Y.N.Wang
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提交时间:2020/08/24
2D ReS2 transistors,bolometric modes,low noise equivalent power,fast,photoresponse,photocurrent polarity switching,sub-bandgap,photodetection,field-effect transistors,layer res2,graphene,optoelectronics,semiconductor,mos2,Materials Science,Optics
Uniquely Decodable Codes for Physical-Layer Network Coding in Wireless Cooperative Communications
期刊论文
Ieee Systems Journal, 2019, 卷号: 13, 期号: 4, 页码: 3956-3967
作者:
Q.Y.Yu
;
Y.T.Li
;
W.X.Meng
;
W.Xiang
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提交时间:2020/08/24
Cooperative communications,multiple-access channel,physical-layer,network coding (PNC),uniquely decodable codes (UDCs),multiple-access,ldpc,codebooks,channel,scheme,Computer Science,Engineering,Operations Research & Management Science,Telecommunications
Improvement in Light Output of Ultraviolet Light-Emitting Diodes with Patterned Double-Layer ITO by Laser Direct Writing
期刊论文
Nanomaterials, 2019, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 9
作者:
J.Zhao
;
X.H.Ding
;
J.H.Miao
;
J.F.Hu
;
H.Wan
;
S.J.Zhou
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UV LEDs,double-layer ITO,pinhole pattern,current spreading,light,output power,thin-films,transparent,electrodes,efficiency,leds,surface,blue,inactivation,enhancement,irradiation,Science & Technology - Other Topics,Materials Science
Revealing the Role of Sidewall Orientation in Wet Chemical Etching of GaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes
期刊论文
Nanomaterials, 2019, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 8
作者:
H.Wan
;
B.Tang
;
N.Li
;
S.J.Zhou
;
C.Q.Gui
;
S.Liu
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GaN-based UV LED,wet chemical etching,prism-structured sidewall,crystal orientation,light extraction,efficiency,surface,plane,enhancement,extraction,layer,Science & Technology - Other Topics,Materials Science
A direct evidence for the energy transfer from phosphorescent molecules to quantum dots in a driving light emitting diode
期刊论文
Organic Electronics, 2019, 卷号: 73, 页码: 337-341
作者:
Z.Zhang
;
X.Guan
;
Z.H.Kang
;
H.Z.Zhang
;
Q.H.Zeng
;
R.M.Yu
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QLED,Energy transfer,Transient electroluminescence,Roll-off,turn-on voltage,highly efficient,thin-films,electroluminescence,singlet,layer,Materials Science,Physics
Blended host ink for solution processing high performance phosphorescent OLEDs
期刊论文
Scientific Reports, 2019, 卷号: 9, 页码: 9
作者:
T.Lin
;
X.Sun
;
Y.X.Hu
;
W.Y.Mu
;
Y.L.Sun
;
D.Y.Zhang
;
Z.S.Su
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light-emitting-diodes,transport materials,carrier mobility,small-molecule,blue,layer,deposition,efficiency,emission,display,Science & Technology - Other Topics
Dependence of Thermal Annealing on Transparent Conducting Properties of HoF3-Doped ZnO Thin Films
期刊论文
Chinese Physics Letters, 2019, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 4
作者:
J.S.Luo
;
J.Lin
;
L.G.Zhang
;
X.Y.Guo
;
Y.F.Zhu
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layer,Physics
Improving the Back Electrode Interface Quality of Cu2ZnSn(S,Se)(4) Thin-Film Solar Cells Using a Novel CuAlO2 Buffer Layer
期刊论文
Acs Applied Energy Materials, 2019, 卷号: 2, 期号: 3, 页码: 2230-2237
作者:
Y.P.Song
;
B.Yao
;
Y.F.Li
;
Z.H.Ding
;
R.J.Liu
;
Y.R.Sui
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Cu2ZnSn(S,Se)(4) solar cell,CuAlO2 buffer layer,smooth and compact,surface,back electrode interface,crystalline quality,interface,optimization,power conversion efficiency,intermediate layer,optical-properties,solid-solutions,fabrication,contact,decomposition,efficiency,Chemistry,Energy & Fuels,Materials Science
Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles
期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Z.M.Shi
;
X.J.Sun
;
Y.P.Jia
;
X.K.Liu
;
S.L.Zhang
;
Z.B.Qi
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van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics