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Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 793, 页码: 599-603
作者:  X.K.Liu;  K.L.Li;  X.J.Sun;  Z.M.Shi;  Z.H.Huang;  Z.W.Li;  L.Min
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Multilayer MoS2,Al2O3 surface,NH3 treatment,Band alignment,field-effect transistor,layer mos2,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering  
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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Data storage materials  Resistive switching  Metal-insulator-semiconductor  Annealing effect  Nonvolatile memory  nonvolatile memory  behaviors  mechanism  breakdown  layer  power  ti  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering  
Behavior of indium alloying with Cu2ZnSn(S,Se)(4) and its effect on performances of Cu2ZnSn(S,Se)(4)-based solar cell 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 767, 页码: 439-447
作者:  Xiao, Z. Y.;  Luan, H. M.;  Liu, R. J.;  Yao, B.;  Li, Y. F.;  Ding, Z. H.;  Yang, G.;  Deng, R.;  Wang, G.;  Zhang, Z. Z.;  Zhang, L. G.;  Zhao, H. F.
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Cu2ZnSn(S, Se)(4)  Solar cell  Indium alloying  Power conversion  efficiency  thin-film  formation mechanism  precursors  growth  nanoparticles  route  layer  ag  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering