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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  蒋科
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AlN  AlGaN  类同质外延  日盲紫外探测器  
286 nm monolithic multicomponent system 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 5
作者:  J.L.Yuan;  Y.Jiang;  Z.Shi;  X.M.Gao;  Y.J.Wang;  X.J.Sun
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light-emitting-diodes,integration,photodetectors,photonics,algan,leds,Physics  
Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang;  Z.B.Qi
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van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics  
The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Wu, Y.;  Kai, C. H.;  Li, D. B.
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light-emitting-diodes  screw dislocations  threading dislocations  phase  epitaxy  gan  films  algan  core  edge  generation  Chemistry  Crystallography  
Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si 期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Wang, J.;  Zhou, R.;  Sun, Q.;  Sun, X. J.;  Li, D. B.;  Gao, H. W.;  Zhou, Y.;  Zhang, S. M.;  Li, D. Y.;  Zhang, L. Q.;  Liu, J. P.;  Wang, H. B.;  Ikeda, M.;  Zheng, X. H.;  Yang, H.
浏览  |  Adobe PDF(525Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：583/171  |  提交时间：2019/09/17
AlGaN  near-ultraviolet  laser  Si substrate  stress  defect  light-emitting-diodes  gan  efficiency  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Optics  Physics  
背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  韩五月
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光电探测器  日盲紫外  AlGaN材料  金属有机化学气相沉积  金属-绝缘层-半导体结构  
Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629
作者:  Ben, J. W.;  Sun, X. J.;  Jia, Y. P.;  Jiang, K.;  Shi, Z. M.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Kai, C. H.;  Wu, Y.;  Li, D. B.
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light-emitting-diodes  high-quality aln  growth  temperature  sapphire  algan  efficiency  ratio  Chemistry  Crystallography  
The Influence of n-AlGaN Inserted Layer on the Performance of Back-Illuminated AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetectors 期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 2, 页码: 5
作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Li, Z. M.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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AlGaN  inserted layers  p-i-n structures  ultraviolet photodetectors  suppression  diodes  Materials Science  Physics  
局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  包广宏
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Algan日盲紫外探测器  表面等离激元  Al颗粒制备