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宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:  申德振
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Mechanism of a-AlN Surface Morphology Evolution by High Temperature Annealing 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2021, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 810-817
作者:  J.-E. Sui;  J.-W. Ben;  H. Zang;  K. Jiang;  S.-L. Zhang;  B.-L. Guo;  Y. Chen;  Z.-M. Shi;  Y.-P. Jia;  D.-B. Li and X.-J. Sun
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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 期刊论文
物理学报, 2020, 卷号: 69, 期号: 12, 页码: 319-327
作者:  刘博阳;  宋文涛;  刘争晖;  孙晓娟;  王开明;  王亚坤;  张春玉;  陈科蓓;  徐耿钊;  徐科;  黎大兵
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铝镓氮  相分离  扫描开尔文探针显微术  荧光光谱  
Characterization of phase separation on AlGaN surfaces by in-situ photoluminescence spectroscopy and high spatially resolved surface potential images 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2020, 卷号: 69, 期号: 12, 页码: 9
作者:  B. Y. Liu,W. T. Song,Z. H. Liu,X. J. Sun,K. M. Wang,Y. K. Wang,C. Y. Zhang,K. B. Chen,G. Z. Xu,K. Xu and D. B. Li
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AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  蒋科
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AlN  AlGaN  类同质外延  日盲紫外探测器  
背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  韩五月
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光电探测器  日盲紫外  AlGaN材料  金属有机化学气相沉积  金属-绝缘层-半导体结构  
V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  付英昊
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氮化镓  金属有机物气相沉积  V形坑缺陷  
Growth dynamics and carrier control of the third generation semiconductor with large mismatch and strong polarization 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 11
作者:  Wang, X.-Q.;  D.-B. Li;  B. Liu;  Q. Sun and J.-C. Zhang
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局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  包广宏
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Algan日盲紫外探测器  表面等离激元  Al颗粒制备