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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
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Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide  
背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  韩五月
caj(3096Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：142/0  |  提交时间：2019/09/23
光电探测器  日盲紫外  AlGaN材料  金属有机化学气相沉积  金属-绝缘层-半导体结构  
V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  付英昊
caj(4204Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：169/0  |  提交时间：2019/09/23
氮化镓  金属有机物气相沉积  V形坑缺陷  
偏振发光二极管的设计研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者:  周昂
Adobe PDF(2857Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：329/3  |  提交时间：2016/04/11
发光二极管  光子晶体  偏振层  液晶  可调谐器件  数值模拟  
Optical Properties Investigation of p-Type ZnO Film Based on Doping by Diffusion 期刊论文
Spectroscopy and Spectral Analysis, 2015, 卷号: 35, 期号: 7
作者:  F. Chen;  D. Fang;  S. P. Wang;  X. Fang;  J. L. Tang;  H. F. Zhao;  F. Fang;  X. Y. Chu;  J. H. Li;  F. Wang;  X. H. Wang;  G. J. Liu;  X. H. Ma and Z. P. Wei
Adobe PDF(288Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：373/126  |  提交时间：2016/08/04
Au电极厚度对MgZnO紫外探测器性能的影响 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  孙华山
Adobe PDF(4306Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：320/1  |  提交时间：2015/05/03
Mgzno薄膜  紫外探测器  Au电极  厚度  
InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  韩智明
Adobe PDF(3244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1259/1  |  提交时间：2015/05/03
金属有机化合物化学气相淀积  两步生长法  铟镓砷  砷化镓  缓冲层  
局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  包广宏
Adobe PDF(3132Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：358/3  |  提交时间：2015/05/03
Algan日盲紫外探测器  表面等离激元  Al颗粒制备  
基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  胡光冲
Adobe PDF(2856Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：385/1  |  提交时间：2015/05/03
Mgzno  深紫外  等离子体  Mocvd